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| Artikelnummer: | NCV33152DR2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.2281 |
| 10+ | $1.0184 |
| 30+ | $0.9041 |
| 100+ | $0.703 |
| 500+ | $0.6452 |
| 1000+ | $0.6191 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 6.1V ~ 18V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 36ns, 32ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.6V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Low-Side |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 1.5A, 1.5A |
| Ladestrom | Independent |
| Grundproduktnummer | NCV33152 |
| NCV33152DR2G Einzelheiten PDF [English] | NCV33152DR2G PDF - EN.pdf |




NCV33152DR2G
Y-IC ist ein hochwertiger Händler der onsemi-Markenprodukte. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der NCV33152DR2G ist ein dualer, hochleistungsfähiger Hochgeschwindigkeits-MOSFET-Gate-Treiber im 8-poligen SOIC-Gehäuse. Er ist ausgelegt zur Ansteuerung von N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in verschiedenen Anwendungen der Energieumwandlung und Motorsteuerung.
Zwei unabhängige Gate-Treiberkanäle
Hohe Ansteuerschleifstromfähigkeit: 1,5A Quelle/Senken
Spannungsbereich: 6,1V bis 18V
Nicht-invertierende Logikeingänge
Schnelle Anstieg-/Abfallzeiten: 36ns/32ns
Betriebstemperaturbereich: -40,°C bis +150,°C
Effiziente Energieumwandlung durch Hochgeschwindigkeits-Schalten
Robustes Design für raue Einsatzbedingungen
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungselektroniksystemen
Verpackungsart: 8-poliges SOIC-Gehäuse
Gehäusegröße: 0,154
Das NCV33152DR2G ist ein aktives Produkt
Bisher sind keine direkten Ersatzprodukte oder Alternativen bekannt
Kunden werden gebeten, unser Vertriebsteam für weitere Informationen zu kontaktieren
Energieumwandlungsund Motorsteuerungssysteme
Automobilund Industrieelektronik
Haushaltsgeräte und Heimautomatisierung
Das bedeutendste technische Datenblatt für den NCV33152DR2G ist auf unserer Website verfügbar. Kunden empfehlen wir, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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