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| Artikelnummer: | MSD602-RT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN 50V 0.5A SC59 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.179 |
| 10+ | $0.1601 |
| 100+ | $0.0871 |
| 500+ | $0.0536 |
| 1000+ | $0.0365 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-59 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 200 mW |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | - |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 120 @ 150mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500 mA |
| Grundproduktnummer | MSD602 |
| MSD602-RT1G Einzelheiten PDF [English] | MSD602-RT1G PDF - EN.pdf |




MSD602-RT1G
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MSD602-RT1G ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT) in einem Oberflächenmontagegehäuse vom Typ TO-236-3, SC-59, SOT-23-3. Entwickelt für allgemeine Verstärker- und Schaltanwendungen.
NPN-Bipolartransistor
Kollektorstrom (Ic) bis zu 500 mA
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (BVCEO) bis zu 50 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCEsat) ab 600 mV bei 30 mA, 300 mA
Gleichstromverstärkung (hFE) mindestens 120 bei 150 mA, 10 V
Leistungsaufnahme bis zu 200 mW
Betriebstemperatur bis zu 150°C
Zuverlässige Leistung in allgemeinen Verstärkerund Schaltanwendungen
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse für platzbegrenzte Designs
Hervorragende elektrische Eigenschaften für effizienten Betrieb
Der MSD602-RT1G ist in einem TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Die Abmessungen des Gehäuses betragen ca. 2,9 mm x 1,3 mm x 1,0 mm. Es wird in Band- und Reel-Format geliefert.
Der MSD602-RT1G ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie die NPN-Transistoren 2N3904 und 2N3906. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Allgemeine Verstärkerund Schaltanwendungen
Unterhaltungselektronik
Industrielle Steuerungen
Fahrzeugtechnik
Das offizielle Datenblatt für den MSD602-RT1G steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, ein Angebot für den MSD602-RT1G auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
microSD, I-Temp, SLC, 2GB
TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
ON SOT-23SC-
ON SOT-23
RECTIFIER DIODE
MSTAR BGA
DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
MSD6148TXA-LF-Z1-TN MSTAR
microSD, I-Temp, SLC, 1GB
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
MOT SOT-23
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
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