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| Artikelnummer: | MSD601-RT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN 50V 0.1A SC59 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1955 |
| 10+ | $0.1611 |
| 100+ | $0.0855 |
| 500+ | $0.0563 |
| 1000+ | $0.0383 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 10mA, 100mA |
| Transistor-Typ | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse | SC-59 |
| Serie | - |
| Leistung - max | 200 mW |
| Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | - |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 210 @ 2mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
| Grundproduktnummer | MSD601 |
| MSD601-RT1G Einzelheiten PDF [English] | MSD601-RT1G PDF - EN.pdf |




MSD601-RT1G
Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Distributor von onsemi, einem führenden Hersteller hochwertiger Halbleiterprodukte.
Der MSD601-RT1G ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT) von onsemi. Er wurde für allgemeine Verstärkungs- und Schaltanwendungen entwickelt.
NPN-Transistortyp
Collector-Strom (IC) bis zu 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannungsdurchbruch (VCEO) bis zu 50 V
Geringe Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) von 500 mV bei 10 mA, 100 mA
DC-Stromverstärkung (hFE) von mindestens 210 bei 2 mA, 10 V
Leistungsaufnahme bis zu 200 mW
Zuverlässige und robuste Leistung
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Tape & Reel (TR) Verpackung
Gehäusetyp TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Oberflächenmontage (SMT)
Das MSD601-RT1G ist ein aktives Produkt und derzeit verfügbar.
Entsprechende oder alternative Modelle könnten erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Allgemeine Verstärkungsund Schaltanwendungen
Elektronische Schaltungen
Schaltungsdesigns in der Elektronik
Das aktuellste Datenblatt für den MSD601-RT1G finden Sie auf unserer Webseite. Kunden werden ermutigt, es herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
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TRANS NPN 50V 0.1A SC59
DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
microSD, I-Temp, SLC, 1GB
TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
MOT SOT-23
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
MSTAR BGA
microSD, I-Temp, SLC, 2GB
ON SOT-23SC-
DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
ON SOT-23
TRANS NPN 50V 0.5A SC59
MSD5S37-I00-L0-EN2 MSTAR
MSTAR BGA
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