Spezifikationshandbuch für MJE3055T NPN-Silizium-Leistungstransistoren

Der MJE3055T ist ein weit verbreiteter NPN-Silizium-Leistungstransistor, der für seine Stärke, Zuverlässigkeit und Vielseitigkeit in vielen leistungselektronischen Anwendungen bekannt ist.In diesem Artikel werden die technischen Spezifikationen des MJE3055T, praktische Arbeitsbeispiele, Vorteile, Einschränkungen und mehr erläutert.

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Übersicht über den MJE3055T-Transistor

Die MJE3055T ist ein robuster NPN-Silizium-Leistungstransistor, der für das Schalten und Verstärken mittlerer Leistung entwickelt wurde.Ausgestattet mit einem TO-220-Gehäuse liefert er einen Kollektorstrom von bis zu 10 A und unterstützt Spannungen von bis zu 60 V, was ihn ideal für Motortreiber, Leistungsregler und Allzweck-Leistungsstufen macht.Seine epitaxiale Basisstruktur bietet eine stabile Verstärkung (typischerweise hFE ≥ 20 bei hohen Strömen) und eine zuverlässige thermische Leistung bei ordnungsgemäßer Wärmeableitung, sodass es in anspruchsvollen Umgebungen effektiv arbeiten kann.

Der von STMicroelectronics entwickelte MJE3055T bietet ein ausgewogenes Verhältnis von Haltbarkeit und Vielseitigkeit mit einer Verlustleistung von 75 W, einer Übergangsfrequenz von 2 MHz und einem komplementären PNP-Paar (MJE2955T ) für Push-Pull-Designs.

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MJE3055T CAD-Modelle

MJE3055T Pinout-Konfiguration

Pin Nummer	Pin Name	Beschreibung
1	Basis (B)	Steuert die Funktionsweise des Transistors;empfängt das Eingangssignal zum Einschalten des Geräts oder aus.
2	Sammler (C)	Hauptsächlich stromführende Klemme;wird bei den meisten Schaltvorgängen mit der Last verbunden Anwendungen.
3	Emitter (E)	Aktuelle Ausgänge über dieses Terminal;werden in NPN-Konfigurationen normalerweise mit der Erde verbunden.

MJE3055T Alternativen und Äquivalente

Äquivalent Teil	Typ	Paket	Kompatibilität
TIP3055	NPN-Leistung Transistor	TO-218 / TO-247	Am besten und am nächsten gleichwertig; Sehr ähnliche elektrische Spezifikationen.
2N3055	NPN-Leistung Transistor	ZU-3	Elektrisch ähnlich;höherer Strom, aber anderes Paket (kein Drop-In).
MJE15015	NPN-Leistung Transistor	TO-247	Höhere Spannung Bewertung;guter Ersatz in Stromkreisen.
BD249C	NPN-Leistung Transistor	TO-3P	Höhere Macht Handhabung;als aufgewerteter Ersatz geeignet.
TIP35C	NPN-Leistung Transistor	TO-247	Höherer Strom Fähigkeit;Funktioniert in vielen MJE3055T-Anwendungen.

Technische Daten des MJE3055T-Transistors

Parameter	Wert
Hersteller	STMicroelectronics
Transistortyp	NPN-Leistung Transistor
Polarität	NPN
Teilestatus	Aktiv
Paket/Koffer	TO-220 / TO-220-3
Montageart	Durchgangsloch
Sammler-Emitter Spannung (VCEO)	60 V
Sammlerbasis Spannung (VCBO)	70 V
Emitter-Basis Spannung (VEBO)	5 V
Sammler Strom (IC max)	10 A
Sammler-Cutoff Strom (ICBO)	700 µA
Gleichstromverstärkung (hFE) bei 4 A, 4 V	20 (Minuten)
VCE-Sättigung @ 3,3 A / 10 A	8 V max
Macht Verlustleistung (Ptot)	75 W
Übergang Frequenz (fT)	2 MHz
Thermisch Widerstand (Junction-Fall)	~1,67 °C/W
Thermisch Widerstand (Verbindung–Umgebung)	~62,5 °C/W
Betrieb Sperrschichttemperatur (Tj)	150°C
Lagerung Temperaturbereich	–65°C bis +150°C
Pin Konfiguration	Pin 1 = Basis, Pin 2 = Kollektor, Pin 3 = Emitter

MJE3055T-Transistorfunktionen

-NPN-Silizium-Leistungstransistor im TO-220-Gehäuse

-Entwickelt für Leistungsschalt- und Allzweckverstärker

-Komplementär zum PNP-Typ MJE2955T

-Hoher Kollektorstrom bis 10 A

-Hohe Verlustleistung bis zu 75 W (mit geeignetem Kühlkörper)

-60 V Kollektor-Emitter-Nennspannung

-Moderate Übergangsfrequenz (fT ≈ 2 MHz)

-Robuste Konstruktion und gute Wärmeleistung

MJE3055T arbeitet im Schaltkreis

In der Audioverstärkerschaltung fungiert der MJE3055T als Hauptleistungstransistor, der für die Ansteuerung der unteren Hälfte der Ausgangswellenform verantwortlich ist.Er bildet ein komplementäres Paar mit dem PNP-Transistor MJE2955 und bildet zusammen eine Push-Pull-Stufe, die den Lautsprecher mit Strom versorgt.Wenn das Eingangssignal negativ schwingt, leitet der MJE3055T Strom von der −35-V-Schiene und liefert ihn an die Last.Die kleineren Treibertransistoren (BD139/BD140) versorgen den MJE3055T mit dem notwendigen Basisstrom, sodass dieser eine hohe Ausgangsleistung verarbeiten und gleichzeitig den linearen Betrieb aufrechterhalten kann.Sein Emitterwiderstand hilft, den Strom zu stabilisieren und Verzerrungen zu reduzieren, wodurch eine saubere Audiowiedergabe gewährleistet wird.

Im zweiten Schaltkreis fungiert der MJE3055T als Reihendurchgangstransistor in einem einfachen Spannungsregler.Eine 5,6-V-Zener-Diode sorgt für eine stabile Referenz an der Basis, und da der Emitter dieser Spannung minus etwa 0,6 V folgt, wird der Ausgang zu einer geregelten Versorgung von etwa 5 V. Der Widerstand speist Strom in die Zener-Diode ein, um diese in der Regelung zu halten, während die Kondensatoren die Spannung glätten und die Welligkeit reduzieren.Hier erhöht der MJE3055T die Stromverarbeitungsfähigkeit des Reglers und ermöglicht es der Schaltung, eine stabile, rauscharme Versorgung für jede angeschlossene Last bereitzustellen.

MJE3055T-Transistoranwendungen

-Audio-Leistungsverstärker (Ausgangsstufe oder Treiberstufe)

-DC-Stromversorgungsregler (Reihendurchgangstransistor)

-Motortreiber und kleine Gleichstrommotorsteuerung

-Relais- und Magnetschalter für mittlere bis hohe Stromlasten

-Wechselrichter und Stromumwandlungsschaltungen

-Batterieladegeräte und Stromverteilungsmodule

-LED-Ansteuerung für Hochstrom-Beleuchtungssysteme

-Allgemeines Hochstromschalten in der Hobby- und Industrieelektronik

Vergleich: MJE3055T vs. MJE3055TG

Spezifikation	MJE3055T	MJE3055TG
Typ	NPN-Leistung Transistor	NPN-Leistung Transistor
Paket	TO-220	TO-220
Bleifinish	Standard (kann einschließlich älterer bleihaltiger Versionen)	Pb-frei / RoHS-konform (TG-Suffix)
Sammler-Emitter Spannung (VCEO)	60 V	60 V
Sammlerbasis Spannung (VCBO)	70 V	70 V
Emitter-Basis Spannung (VEBO)	5 V	5 V
Kontinuierlich Kollektorstrom (IC)	10 A	10 A
Macht Verlustleistung (Ptot)	75 W	75 W
Gleichstromverstärkung (hFE)	20 (min. bei 4 A)	20 (min. bei 4 A)
Übergang Frequenz (fT)	~2 MHz	~2 MHz
Thermisch Widerstand (Junction-Fall)	Das Gleiche typisch Wert	Das Gleiche typisch Wert
Sicherer Betrieb Bereich	Gleiche Kurve Profil	Gleiche Kurve Profil
Hauptunterschied	Standardversion	Umweltgerecht Ausführung (Pb-frei/halogenfrei)

MJE3055T Mechanische Abmessungen

Vorteile und Einschränkungen

Vorteile des MJE3055T

-Verarbeitet relativ hohe Ströme (bis zu 10 A) und eignet sich für Leistungsanwendungen

-Hohe Verlustleistung (ca. 75 W bei ordnungsgemäßem Kühlkörper)

- Weit verbreitet und kostengünstig

-Einfache Montage dank TO-220-Gehäuse

-Geeignet für Audioverstärker, Motortreiber und Leistungsregler

-Gute Zuverlässigkeit für lineare und Schaltanwendungen

-Kompatibel mit vielen Standard-Schaltungsdesigns

-Funktioniert gut als Reihendurchgangstransistor in geregelten Netzteilen

MJE3055T-Einschränkungen

- Die maximale Nennspannung ist moderat (60 V) und nicht für Hochspannungskreise geeignet

- Erfordert einen ordnungsgemäßen Kühlkörper, sonst kann es schnell überhitzen

-Langsamere Schaltgeschwindigkeit im Vergleich zu modernen Leistungstransistoren

-Begrenzte Verstärkung (hFE), oft ist eine Treiberstufe erforderlich

-Nicht ideal für Hochfrequenz-Schaltnetzteile

- Die Temperatur der Verbindungsstelle schränkt die Leistung bei hoher Belastung ein

-Älteres Transistordesign im Vergleich zu neueren MOSFET-Alternativen

Hersteller

STMicroelectronics ist ein weltweit führender Halbleiterhersteller, der für die Herstellung zuverlässiger Hochleistungskomponenten wie Leistungstransistoren, Mikrocontroller, Sensoren und analoge ICs bekannt ist.Das Unternehmen ist auf die Bereitstellung robuster Lösungen spezialisiert.ST kombiniert fortschrittliche Siliziumtechnologie, starke Fertigungskapazitäten und strenge Qualitätsstandards, um eine gleichbleibende elektrische Leistung und langfristige Zuverlässigkeit aller seiner Produkte sicherzustellen.

Datenblatt PDF

MJE3055T Datenblatt:

MJE2955T, MJE3055T.pdf

Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf

Details als PDF herunterladen

TO-220-Kapazitätserweiterung 18/Jun/2013.pdf

Häufig gestellte Fragen [FAQ]

1. Was ist der Unterschied zwischen einem Leistungstransistor und einem Kleinsignaltransistor?

Leistungstransistoren wie der MJE3055T verarbeiten höhere Ströme und Leistungen und verfügen über größere Chipgrößen und Gehäuse, während Kleinsignaltransistoren für die Verstärkung bei niedrigem Strom und das Hochfrequenzschalten ausgelegt sind.

2. Kann der MJE3055T ohne Kühlkörper verwendet werden?

Der Betrieb ohne Kühlkörper kann nur bei niedrigen Strömen erfolgen. Bei Lasten über leichten Lasten ist ein Kühlkörper jedoch unerlässlich, um eine Überhitzung zu verhindern und einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.

3. Was ist der sichere Betriebsbereich (SOA) für den MJE3055T?

Die SOA definiert die Spannungs-Strom-Grenzwerte, bei denen der Transistor sicher arbeiten kann;Durch die Einhaltung der angegebenen SOA-Kurve wird sichergestellt, dass das Gerät nicht thermisch außer Kontrolle gerät oder unter Belastung ausfällt.

4. Wie teste ich einen MJE3055T mit einem Multimeter?

Verwenden Sie den Diodentestmodus, um die Basis-Emitter- und Basis-Kollektor-Übergänge zu überprüfen.Sie sollten Vorwärtsspannungswerte von etwa 0,6–0,7 V und keine Rückwärtsleitung erhalten.

5. Kann der MJE3055T einen MOSFET in Leistungsschaltkreisen ersetzen?

Es kann einen MOSFET nur in niederfrequenten oder linearen Anwendungen ersetzen;Für Hochgeschwindigkeitsschaltungen sind MOSFETs weitaus effizienter.

6. Was passiert, wenn ich den Kollektorstromwert des MJE3055T überschreite?

Das Überschreiten der 10-A-Nennleistung führt zu Überhitzung, verminderter Verstärkung und möglicherweise dauerhaften Schäden aufgrund eines Verbindungsfehlers.

7. Unterstützt der MJE3055T die Darlington-Konfiguration?

Ja, es kann verwendet werden, um ein Darlington-Paar für eine höhere Verstärkung aufzubauen, aber der Spannungsabfall wird im Vergleich zu einem einzelnen Transistor größer.