2N3906 200 mA 40 V Allzwecktransistoren PNP Silizium

Was ist ein 2N3906-Transistor?In diesem Artikel wird der 2N3906-Transistor im Detail besprochen, einschließlich seiner Grundlagen, Spezifikationen, Funktionen, Schaltungsbetrieb, Richtlinien zur sicheren Verwendung, Anwendungen, Vergleiche und Herstellerhintergrund.

Katalog

2N3906 Transistor Basic

Die 2N3906 ist ein PNP-Silizium-Allzwecktransistor.Es ist für das Schalten mit geringem Stromverbrauch und die Kleinsignalverstärkung konzipiert.Mit einem maximalen Kollektorstrom von 200 mA und einer Kollektor-Emitter-Nennspannung von 40 V eignet sich der 2N3906 gut für den Antrieb kleiner Lasten, Signalumkehrung und Verstärkungsaufgaben.Als PNP-Gerät leitet es, wenn die Basisspannung niedriger als die Emitterspannung ist, sodass Strom vom Emitter zum Kollektor fließen kann.

Der Transistor ist typischerweise in einem TO-92-Durchsteckgehäuse erhältlich.Somit ist eine einfache Montage auf Steckbrettern und Leiterplatten möglich.In komplementären Schaltungsdesigns wird es häufig mit dem NPN 2N3904 kombiniert.

Wenn Sie Interesse am Kauf des 2N3906 haben, kontaktieren Sie uns bitte bezüglich Preis und Verfügbarkeit.

2N3906 Transistor-CAD-Modelle

Details zur Pinbelegung des Transistors 2N3906

Pin Nummer	Pin Name	Beschreibung
1	Emitter	Liefert Strom vom Transistor (PNP-Emitteranschluss)
2	Basis	Steuert die Schalten und Verstärken des Transistors
3	Sammler	Sammelt Strom fließt durch den Transistor

2N3906 Verschiedene Typen

ONSEMI Teilenummer	Transistor Typ	Paket	Führen / Montageart	Notizen
2N3906	PNP-Silizium	TO-92	Durchgangsloch	Standardversion
2N3906G	PNP-Silizium	TO-92	Durchgangsloch	Bleifrei, RoHS konform
2N3906TA	PNP-Silizium	TO-92	Durchgangsloch	Klebeband und Munition Verpackung
2N3906BU	PNP-Silizium	TO-92	Durchgangsloch	Großverpackung
MMBT3906	PNP-Silizium	SOT-23	Oberflächenmontage (SMD)	Elektrisch entspricht 2N3906
MMBT3906LT1G	PNP-Silizium	SOT-23	Oberflächenmontage (SMD)	Bleifrei, Klebeband & Rolle

2N3906 Alternative Modelle

• BC557

• BC558

• BC559

• BC556

• 2N2907

• A1015

• C945

• 9014

• 2N4403

2N3906 Transistorspezifikationen

Parameter	Spezifikation
Hersteller	onsemi
Produktkategorie	Bipolar Transistoren – BJT
Unterkategorie	Transistoren
Serie	2N3906
Transistor Polarität	PNP
Konfiguration	Single
Technologie	Silizium (Si)
Montageart	Durchgangsloch
Paket/Koffer	TO-92-3
Verpackung	Masse
Maximaler Gleichstrom Kollektorstrom	200mA
Kontinuierlich Kollektorstrom	200mA
Sammler-Emitter Spannung (VCEO) Max	40 V
Sammlerbasis Spannung (VCBO)	40 V
Emitter-Basis Spannung (VEBO)	5 V
Sammler-Emitter Sättigungsspannung	400 mV
Macht Verlustleistung (Pd)	250 mW
Gleichstromverstärkung (hFE) Min	60
Gewinnen Sie Bandbreite Produkt (fT)	250 MHz
Mindestens Betriebstemperatur	−55 °C
Maximal Betriebstemperatur	+150 °C
Höhe	5,33 mm
Länge	5,2 mm
Breite	4,19 mm
RoHS	Nein

2N3906 Elektrische Eigenschaften

2N3906 Transistorfunktionen

• Hohe Verstärkungsbandbreite (250 MHz) – Eine Übergangsfrequenz von 250 MHz macht den 2N3906 für die Hochfrequenzsignalverstärkung und schnelle Schaltaufgaben geeignet.

• PNP-Siliziumtransistor – Der 2N3906 ist ein bipolarer Sperrschichttransistor vom PNP-Typ aus Silizium.Es funktioniert, indem es den Stromfluss zulässt, wenn die Basisspannung niedriger als die Emitterspannung ist, wodurch es für die Low-Side-Signalsteuerung und komplementäre Designs geeignet ist.

• Kollektorstromnennwert von 200 mA – Dieser Transistor kann Kollektorströme von bis zu 200 mA verarbeiten, was für die Ansteuerung kleiner Lasten, Relais, LEDs und Schaltanwendungen mit geringem Stromverbrauch ausreichend ist.

• 40 V Kollektor-Emitter-Spannung – Mit einer maximalen VCEO von 40 V kann der 2N3906 sicher in Nieder- bis Mittelspannungskreisen betrieben werden, ohne dass unter normalen Bedingungen die Gefahr eines Ausfalls besteht.

• Geringe Verlustleistung (250 mW) – Die Verlustleistung von 250 mW ermöglicht einen effizienten Betrieb in Kleinsignalschaltungen und minimiert gleichzeitig die Wärmeentwicklung.

• Stabile Gleichstromverstärkung – Der Transistor bietet eine minimale Gleichstromverstärkung (hFE) von 60 und gewährleistet so eine vorhersehbare Verstärkungsleistung unter typischen Betriebsbedingungen.

• TO-92-Durchsteckgehäuse – Das kompakte TO-92-Gehäuse ermöglicht eine einfache Handhabung, Steckplatinenmontage und Löten in Durchsteck-PCB-Designs.

• Großer Betriebstemperaturbereich – Er arbeitet zuverlässig von –55 °C bis +150 °C und eignet sich daher sowohl für Verbraucher- als auch für Industrieumgebungen.

2N3906 Transistor arbeitet im Stromkreis

2N3906 als Konstantstromquelle

Im ersten Stromkreis wird der 2N3906 zur Bildung einer Konstantstromquelle verwendet.Der Emitter des Transistors ist mit der positiven Versorgung verbunden, während mit der Basis und dem Emitter verbundene Widerstände eine feste Basis-Emitter-Spannung einstellen.Dieser Spannungsabfall stellt einen stabilen Strom durch den Kollektor her, der an die Last geliefert wird.Solange der Transistor in seinem aktiven Bereich bleibt, haben Änderungen der Versorgungsspannung oder des Lastwiderstands nur minimale Auswirkungen auf den Ausgangsstrom.Diese Art von Schaltung wird üblicherweise zur Vorspannung von Verstärkerstufen und zur Bereitstellung stabiler Referenzströme verwendet.

2N3906 als High-Side-Relaistreiber

2N3906 als High-Side-Relaistreiber

Im zweiten Schaltkreis fungiert der 2N3906 als High-Side-Schalttransistor zur Ansteuerung eines Relais.Der Emitter ist an die höhere Versorgungsspannung angeschlossen und über einen Widerstand wird ein Niederspannungs-Steuersignal an die Basis angelegt.Wenn die Basisspannung unter die Emitterspannung fällt, schaltet sich der Transistor ein und ermöglicht den Stromfluss vom Emitter zum Kollektor, wodurch die Relaisspule aktiviert wird.Wenn das Steuersignal entfernt wird, schaltet der Transistor AUS und das Relais wird deaktiviert.Diese Konfiguration ermöglicht die sichere Steuerung von Lasten mit höherer Spannung durch Niederspannungs-Logiksignale.

2N3906 in einer Verstärker-Vorspannungs- und Differenzstufe

2N3906 in einer Verstärker-Vorspannungs- und Differenzstufe

Im dritten Schaltkreis wird der 2N3906 in einem komplexeren Verstärker- und Vorspannungsnetzwerk verwendet.Hier trägt es dazu bei, stabile Vorströme für Differenzverstärkerstufen und Signalaufbereitungsabschnitte zu etablieren.Durch den Betrieb in seinem aktiven Bereich sorgt der Transistor für einen kontrollierten Stromfluss, der die thermische Stabilität und Linearität der Gesamtschaltung verbessert.Diese Rolle ist bei Audio- und Analogverstärkerdesigns von entscheidender Bedeutung, bei denen eine konsistente Vorspannung für geringe Verzerrungen und zuverlässige Langzeitleistung sorgt.

2N3906 Sicherer Betrieb

• 40 V Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) nicht überschreiten

• Kollektorstrom auf maximal 200 mA begrenzen

• Halten Sie die Verlustleistung auf ≤ 250 mW

• Sorgen Sie für eine ordnungsgemäße Basisstrombegrenzung mit einem Widerstand

• Vermeiden Sie eine Sperrvorspannung des Basis-Emitter-Übergangs über 5 V

• Betrieb im Temperaturbereich von −55 °C bis +150 °C

• Sorgen Sie für eine ausreichende Wärmeableitung bei Dauerstromanwendungen

• Vermeiden Sie gleichzeitige Hochspannungs- und Hochstrombedingungen

• Verwenden Sie Flyback-Dioden, wenn Sie induktive Lasten ansteuern

• Überprüfen Sie die korrekte Pin-Ausrichtung, bevor Sie den Stromkreis mit Strom versorgen

2N3906 Transistoranwendungen

• Signalverstärkung

• Schalten mit geringem Stromverbrauch

• Relaistreiberschaltungen

• High-Side-Schaltung

• Konstantstromquellen

• Voreingenommene Netzwerke

• Audio-Vorverstärker

• Differenzverstärkerstufen

• Komplementäre Transistorpaare

• Spannungspegelverschiebung

• LED-Treiberschaltungen

• Sensorschnittstellenschaltungen

Vergleich: 2N3906 VS 2N2222 VS 2N3904

Parameter	2N3906	2N2222	2N3904
Transistortyp	PNP	NPN	NPN
Material	Silizium	Silizium	Silizium
Typisches Paket	TO-92	TO-92 / TO-18	TO-92
Maximal Kollektorstrom (Ic)	200mA	800 mA	200mA
Sammler-Emitter Spannung (VCEO)	40 V	40 V	40 V
Sammlerbasis Spannung (VCBO)	40 V	60 V	60 V
Emitter-Basis Spannung (VEBO)	5 V	5 V	6 V
Macht Zerstreuung	250 mW	500 mW	625 mW
Gleichstromverstärkung (hFE)	60 (Minuten)	75 (typisch)	100 (typisch)
Übergang Frequenz (fT)	250 MHz	250 MHz	300 MHz
Polarität / Funktion	Low-Side-PNP Schalten und Verstärken	Hochstrom-NPN schalten	Universell einsetzbar NPN-Verstärkung
Komplementär Paar	2N3904	2N2907	2N3906

2N3906 Mechanische Abmessungen

Hersteller

onsemi (ON Semiconductor) ist ein globaler Halbleiterhersteller mit fortschrittlichen Fähigkeiten in den Bereichen Waferherstellung, Gerätedesign, Montage, Prüfung und Verpackung.Das Unternehmen betreibt weltweit mehrere hochvolumige Produktionsanlagen und unterstützt Siliziumtechnologien wie Bipolar-, CMOS-, Leistungs-MOSFET-, IGBT- und Wide-Bandgap-Lösungen, einschließlich Siliziumkarbid (SiC).onsemi ist für seine starke vertikale Integration bekannt, die eine strenge Kontrolle über Qualität, Zuverlässigkeit und Effizienz der Lieferkette ermöglicht.

Häufig gestellte Fragen [FAQ]

1. Welcher Basiswiderstandswert sollte bei einem 2N3906 verwendet werden?

Der Basiswiderstand hängt von der Versorgungsspannung und dem Laststrom ab, üblicherweise werden jedoch Werte zwischen 1 kΩ und 10 kΩ verwendet.

2. Kann der 2N3906 eine LED direkt ansteuern?

Ja.Bei Verwendung mit einem geeigneten Strombegrenzungswiderstand können LEDs sicher betrieben werden.

3. Eignet sich der 2N3906 für Audiosignalkreise?

Ja.Es wird häufig in rauscharmen Audio-Vorverstärkern und Vorspannungsstufen verwendet.

4. Was passiert, wenn die Basis-Emitter-Spannung umgekehrt ist?

Eine Sperrvorspannung über 5 V kann den Transistor dauerhaft beschädigen und sollte vermieden werden.

5. Kann der 2N3906 mit Mikrocontrollern verwendet werden?

Ja.Es lässt sich gut mit Mikrocontrollern für Signalumkehr- und Laststeuerungsanwendungen verbinden.

6. Wie wirkt sich die Temperatur auf die Leistung des 2N3906 aus?

Höhere Temperaturen erhöhen den Leckstrom und verringern die Verstärkung, daher sind geeignete thermische Spielräume wichtig.