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| Artikelnummer: | US1J-E3/5AT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1896 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-214AC (SMA) |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
| Verpackung / Gehäuse | DO-214AC, SMA |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Strom - Richt (Io) | 1A |
| Kapazität @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | US1 |
| US1J-E3/5AT Einzelheiten PDF [English] | US1J-E3/5AT PDF - EN.pdf |




US1J-E3/5AT
Y-IC ist ein hochwertiger Händler für Vishay-Halbleiterdioden. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der US1J-E3/5AT ist eine einzelne Silizium-Speed-Recovery-Diode von Vishay Semiconductor. Sie ist für den Einsatz in Hochfrequenz-Gleichrichtern, Freilaufdioden und Schutzschaltungen hinsichtlich Polarität konzipiert.
Schnelle Erholzeit von ≤ 500 ns bei > 200 mA, Geringe Vorwärtsspannung von 1,7 V bei 1 A, Hohe Sperrspannung von 600 V, Geringer Sperr-Rückflussstrom von 10 μA bei 600 V, Kleines Oberflächenmontagegehäuse SMA (DO-214AC)
Ermöglicht Hochfrequenzbetrieb in Stromversorgungen und Motorsteuerungen, Verringert Energieverluste und steigert die Energieeffizienz, Kompaktes und platzsparendes Oberflächenmontagegehäuse, Zuverlässige Leistung bei einem weiten Temperaturbereich von -55°C bis 150°C
Tapes & Reels (TR), Oberflächenmontagegehäuse SMA (DO-214AC), Maße: 5,8 mm x 3,6 mm x 2,3 mm
Das US1J-E3/5AT ist ein aktives Produkt und befindet sich derzeit in der Produktion. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie z. B. UF1J-E3/5AT und UR1J-E3/5AT. Für weitere Unterstützung wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
Hochfrequenz-Gleichrichtung in Stromversorgungen, Freilaufdioden in Motorsteuerungen, Schutzschaltungen für Polaritätsumkehr
Laden Sie bitte das aktuellste Datenblatt für den US1J-E3/5AT von unserer Webseite herunter.
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DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
US1J-5AT VISHAY
US1J-E3 VISHAY
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
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US1J-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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