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| Artikelnummer: | SIHB21N65EF-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $28.018 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 208W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2322 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SIHB21 |
| SIHB21N65EF-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIHB21N65EF-GE3 PDF - EN.pdf |




SIHB21N65EF-GE3
Y-IC ist ein hochwertiger Vertriebspartner von Vishay-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SIHB21N65EF-GE3 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET von Vishay, mit einer Drain-Source-Spannung von 650 V und einem Dauer-Drain-Strom von 21 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET\n650 V Drain-Source-Spannung\n21 A dauerhafter Drain-Strom\nMaximaler On-Widerstand von 180 mΩ\nMaximale Gate-Ladung von 106 nC\nBetriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Hervorragende Hochspannungsund Hochstromleistung\nGeringer On-Widerstand für hohe Effizienz\nBreiter Betriebstemperaturbereich\nZuverlässig und langlebig für anspruchsvolle Anwendungen
Der SIHB21N65EF-GE3 ist in einer TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse mit 2 Leads und einer Kupferlasche verpackt. Seine kompakte Größe und robuste Bauweise sind optimal für verschiedene Leistungselektronik-Anwendungen.
Der SIHB21N65EF-GE3 ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle wie den SIHB21N65E, SIHB21N65E-E3 und SIHB21N65E-GE3. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Schaltnetzteile\nMotorantriebe\nWechselrichter\nBlindstromkompensationskreise\nIndustrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den SIHB21N65EF-GE3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SIHB21N65EF-GE3 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Sonderangebot.
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