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| Artikelnummer: | SIS407ADN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6124 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 15A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5875 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 168 nC @ 8 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SIS407 |
| SIS407ADN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIS407ADN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |




SIS407ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix, ein renommierter Distributor dieser Marke, bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SIS407ADN-T1-GE3 ist ein P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V und einem Dauer-Drätenstrom von 18 A bei 25 °C Gehäusetemperatur. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand von 9 mΩ bei 15 A und einer Gate-Spannung von 4,5 V aus.
P-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Dauer-Drätenstrom (Id) bei 25 °C: 18 A
Niedriger On-Widerstand (Rds on): 9 mΩ bei 15 A, 4,5 V
Gate-Ladung (Qg) (Max) bei Vgs: 168 nC bei 8 V
Weites Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
Herausragende Energieeffizienz dank niedrigem On-Widerstand
Zuverlässige Leistung über einen breiten Temperaturbereich
Ideal für Hochstrom-Schaltanwendungen
Tape-and-Reel-Verpackung
PowerPAK® 1212-8 Gehäuse
Oberflächenmontage
Dieses Produkt ist aktuell aktiv und wird produziert.
Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Für weitere Details wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
Hochstrom-Schaltanwendungen
Stromversorgungsmanagement
Motorsteuerung
Fahrzeugelektronik
Das offizielle Datenblatt für den SIS407ADN-T1-GE3 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt Ihr Angebot, um von unseren zeitlich begrenzten Sonderangeboten zu profitieren.
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