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| Artikelnummer: | SIS406DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.1086 |
| 10+ | $0.9351 |
| 30+ | $0.8397 |
| 100+ | $0.7315 |
| 500+ | $0.6845 |
| 1000+ | $0.6618 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 12A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Ta) |
| Grundproduktnummer | SIS406 |
| SIS406DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIS406DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |




SIS406DN-T1-GE3
Y-IC ist ein hochwertiger Händler von Vishay-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SIS406DN-T1-GE3 ist ein einziger N-Kanal-MOSFET im PowerPAK 1212-8 Gehäuse von Vishay. Es handelt sich um ein TrenchFET®-Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 30 V und einem Dauer-Drain-Strom von 9 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET\n30 V Drain-Source-Spannung\n9 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C\nTrenchFET®-Technologie\nPowerPAK 1212-8 Gehäuse
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung\nZuverlässige und robuste Leistung\nKompaktes und platzsparendes Design\nFür ein breites Anwendungsspektrum geeignet
Tape & Reel (TR) Verpackung\nPowerPAK 1212-8 Gehäuse\nOberflächenmontage (SMD)\nElektrische Eigenschaften: 30 V Vdss, maximal 11 mΩ Rds(on)
Das SIS406DN-T1-GE3 ist ein aktives Produkt\nEs gibt gleichwertige oder alternative Modelle, z. B. SIS405DN-T1-GE3\nFür weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam auf unserer Website
Netzteile\nMotorantriebe\nLichtsteuerung\nIndustrielle Automatisierung\nUnterhaltungselektronik
Das authoritative Datenblatt für den SIS406DN-T1-GE3 ist auf unserer Website erhältlich. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.
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