Deutsch
| Artikelnummer: | IRF9610SPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.8461 |
| 10+ | $1.4498 |
| 30+ | $1.2799 |
| 100+ | $1.0678 |
| 500+ | $0.9735 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 900mA, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 20W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.8A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRF9610 |
| IRF9610SPBF Einzelheiten PDF [English] | IRF9610SPBF PDF - EN.pdf |




IRF9610SPBF
Y-IC ist ein hochwertiger Händler von Vishay Siliconix-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRF9610SPBF ist ein P-Kanal-MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) von Vishay Siliconix. Er wurde für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich Leistungsmanagement und Steuerung entwickelt.
P-Kanal-MOSFET
200V Drain-Source-Spannung
1,8A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 3Ω
Maximaler Gate-Ladung von 11nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Oberflächenmontage (TO-263) Gehäuse
Hohe Spannungsfestigkeit
Geringer On-Widerstand
Kompaktes Oberflächenmontagegehäuse
Breiter Betriebstemperaturbereich
Der IRF9610SPBF ist in einem TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse verpackt, das 2 Anschlüsse und eine Wärmeableitungs-Tab besitzt. Das Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit.
Das IRF9610SPBF ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
Stromversorgungsschaltungen
Motorsteuerung
Schaltnetzteile
Spannungsregulierung
Verstärker-Schaltungen
Das offizielle Datenblatt für den IRF9610SPBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.
Kunden sollten ein Angebot für den IRF9610SPBF auf unserer Webseite einholen. Jetzt Angebot anfordern oder mehr über dieses Produkt erfahren!
N-CHANNEL200V
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
IRF9612 IR
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
MOSFET P-CH 200V 3.5A I2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
3.5A, 200V, 1.500 OHM, P-CHANNEL
IR TO-220
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A I2PAK
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
IR TO-263
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/01/15
2025/07/10
2025/01/27
2025/06/19
IRF9610SPBFVishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|