Deutsch
| Artikelnummer: | IRF640PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3827 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRF640 |
| IRF640PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF640PBF PDF - EN.pdf |




IRF640PBF
Vishay Siliconix. Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Marke Vishay Siliconix und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der IRF640PBF ist ein N-Kanal MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung (Vdss) von 200 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom (Id) von 18 A bei 25 °C.
N-Kanal MOSFET
200 V Drain-Source-Spannung (Vdss)
18 A Kontinuerlicher Drain-Strom (Id) bei 25 °C
Niedriger On-Widerstand (Rds(on))
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameter-Toleranzen
Hervorragende Leistung bei Leistungsschaltungen und Verstärkeranwendungen
Zuverlässiges und langlebiges Design
Hohe Effizienz und Energieeinsparung
Der IRF640PBF ist in einem TO-220AB (TO-220-3) Durchsteckpaket verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit.
Der IRF640PBF ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie den IRF640N und IRF640NPBF. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Website.
Netzteile
Motorsteuerungen
Schaltregler
Verstärker
Industrieanwendungen
Das maßgebliche Datenblatt für den IRF640PBF ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden wird geraten, Angebote auf unserer Website einzuholen. Bitte fordern Sie ein Angebot an, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unsere zeitlich begrenzte Aktion, um das beste Angebot für dieses Produkt zu erhalten.
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL,
IR TO-263
IR TO-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
IRF640NSTRL IOR
IRF640 - HEXFET POWER MOSFET
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL,
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
IR TO220
IR D2-PAK
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
VISHAY TO220
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2026/05/21
2026/05/20
2026/05/20
2026/05/20
IRF640PBFVishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|