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| Artikelnummer: | AUIRF3205ZS |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 237+ | $1.2023 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 66A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 170W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Bulk |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3450 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
| AUIRF3205ZS Einzelheiten PDF [English] | AUIRF3205ZS PDF - EN.pdf |




AUIRF3205ZS
International Rectifier (Infineon Technologies)
Der AUIRF3205ZS ist ein N-Kanal-LeistungsmOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 55 V und einem maximalen Dauer-Drain-Strom von 75 A. Er überzeugt durch geringe On-Widerstände, schnelle Schaltzeiten und hohe Leistungsfähigkeit, wodurch er sich ideal für verschiedene Anwendungen in der Energieumwandlung und Motorsteuerung eignet.
N-Kanal-LeistungsmOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss): 55 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25°C: 75 A
Geringer On-Widerstand (Rds(on)): 6,5 mOhm
Schnelle Schaltfähigkeit
Hohe Leistungsfähigkeit
Hervorragende Leistung bei Energieumwandlung und Motorsteuerung
Hohe Effizienz durch niedrigen On-Widerstand
Zuverlässiger und langlebiger Betrieb
Gehäuse: TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB
Verpackung: Rolle (Tube)
Thermische Eigenschaften: Maximaler Verlustleistung von 170 W (Tc)
Elektrische Eigenschaften: MOSFET-Technologie (Metalloxid-Struktur)
Der AUIRF3205ZS ist ein aktives Produkt und befindet sich nicht in der Auslaufphase. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, für detaillierte Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Website.
Energieumwandlung
Motorsteuerung
Schaltende Netzteile
Industrieelektronik
Das zuverlässigste Datenblatt für den AUIRF3205ZS steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen unseren Kunden, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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AUIRF3205ZPBF. IR
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
AUIRF3305 - 55V-60V N-CHANNEL AU
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
I D2PAK
MOSFET N-CH 40V 240A TO262-3
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IR TO-220
IR TO-263
AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
IR TO262
IR TO-220
MOSFET N-CH 40V 87A TO220AB
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
INFINEON TO-220
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
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