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| Artikelnummer: | TSM80N1R2CH |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | 800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.0824 |
| 200+ | $2.4267 |
| 500+ | $2.3456 |
| 1000+ | $2.3057 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-251 (IPAK) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 685 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | TSM80 |




TSM80N1R2CH
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor der Produkte der Taiwan Semiconductor Corporation. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der TSM80N1R2CH ist ein Hochspannungs-N-Kanal-LeistungsmOSFET der Taiwan Semiconductor Corporation. Er besitzt eine maximale Drain-Source-Spannung von 800V und einen Dauer-Drain-Strom von 5,5A bei 25°C.
N-Kanal MOSFET \n800V Drain-Source-Spannung \n5,5A Dauer-Drain-Strom bei 25°C \nNiedriger On-Widerstand von 1,2Ω bei 2,75A, 10V \nGate-Ladung von 19,4nC bei 10V \nBetriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C \nGehäusevariante TO-251 (IPAK)
Ideal für Hochspannungsund Hochstromanwendungen \nGeringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung \nZuverlässige Leistung über einen weiten Temperaturbereich \nIndustriestandard-TO-251-Gehäuse für einfache Integration
Der TSM80N1R2CH ist in einem TO-251 (IPAK) Durchsteckgehäuse verpackt. Er verfügt über 3 kurze Anschlussdrähte und eine Thermopaste für bessere Wärmeableitung.
Der TSM80N1R2CH ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige Modelle erhältlich, wie z.B. TSM80N1R0CH und TSM80N1R5CH. Für weitere Informationen zu Alternativen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Schaltnetzteile \nMotorenantriebe \nIndustrielle Automation und Steuerungssysteme \nHaushaltsgeräte \nBeleuchtungsanwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den TSM80N1R2CH ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten herunterzuladen.
Kunden empfehlen wir, Angebote direkt auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot oder erfahren Sie mehr über den TSM80N1R2CH und andere Produkte der Taiwan Semiconductor Corporation noch heute.
800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
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