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| Artikelnummer: | TSM2NB60CH |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | 600V, 2A, SINGLE N-CHANNEL POWER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.9791 |
| 200+ | $0.7906 |
| 500+ | $0.7637 |
| 1000+ | $0.751 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-251 (IPAK) |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 1A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 44W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 249 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2A (Tc) |
| Grundproduktnummer | TSM2 |




TSM2NB60CH
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für TSC-Produkte. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der TSM2NB60CH ist ein spezieller, integrierter Hochleistungs-IC, der für verschiedene Anwendungen entwickelt wurde.
Gehäuse: TO-251
Hochleistungsdesign
Optimiert für spezifische Anwendungsfälle
Zuverlässige und langlebige Leistung
Verbesserte Energieeffizienz
Speziell für Zielanwendungen abgestimmt
Gehäuse: TO-251
Robuste Bauweise
Geeignet für thermische und elektrische Anforderungen
Der TSM2NB60CH ist ein aktives Produkt. Entsprechende oder alternative Modelle sind erhältlich. Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Website für weitere Informationen.
Industrielle Automatisierung
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Spezialisierte Elektronik
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