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| Artikelnummer: | SFF2008GHC0G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 20A ITO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 4000+ | $0.4742 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse | ITO-220AB |
| Standardpaket | 50 |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35ns |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 20A Through Hole ITO-220AB |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io) | 20A |
| Kapazität @ Vr, F | 90pF @ 4V, 1MHz |
| SFF2008GHC0G Einzelheiten PDF [English] | SFF2008GHC0G PDF - EN.pdf |




SFF2007G TSC
DIODE GEN PURP 400V 20A ITO220AB
SFF2040CT TAIWANSEMI
DIODE GEN PURP 500V 20A ITO220AB
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35NS, 20A, 600V, SUPER FAST RECO
DIODE GEN PURP 3KV 360MA AXIAL
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PROTOTYPE
VB TO-220F
35NS, 20A, 600V, SUPER FAST RECO
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SFF2008GHC0GTSC (Taiwan Semiconductor) |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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