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| Artikelnummer: | MBR10H200CT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1000+ | $0.4835 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 970 mV @ 10 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
| Technologie | Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 10A |
| Grundproduktnummer | MBR10 |
| MBR10H200CT Einzelheiten PDF [English] | MBR10H200CT PDF - EN.pdf |




MBR10H200CT
Y-IC ist ein Qualitäts distributor von Produkten von Taiwan Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der MBR10H200CT ist eine Hochleistungs-Schottky-Diode mit einer gemeinsamen Kathoden-Konfiguration für ein Paar. Sie ist für den Einsatz in verschiedenen Stromversorgungs- und Energieumwandlungsanwendungen konzipiert.
– Spannung - Gleichstrom-Umkehrspannung (Vr) (Max): 200 V
– Durchschnittlicher Gleichrichterstrom (Io) (pro Diode): 10 A
– Vorwärtsspannung (Vf) (Max) bei If: 970 mV bei 10 A
– Schnelles Ansprechverhalten <= 500 ns, bei > 200 mA (Io)
– Rückwärts-Leckstrom bei Vr: 5 µA bei 200 V
– Betriebstemperatur - Junction: -55°C bis 175°C
– Durchgangslochmontage
– Gehäuse: TO-220-3
– Hohe Strombelastbarkeit
– Schnelle Schaltgeschwindigkeit
– Geringe Vorwärtsspannung
– Zuverlässige und langlebige Leistung
– Geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Der MBR10H200CT wird in einem TO-220-3 Durchgangslochgehäuse verpackt. Das Gehäuse sorgt für eine gute Wärmeabfuhr und elektrische Eigenschaften des Bauteils.
Der MBR10H200CT ist ein aktiviertes Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie z. B. der MBR10H100CT und MBR10H300CT. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
– Netzteile
– Stromumwandlungsschaltungen
– Wechselrichter
– Motortreiber
– Schweißgeräte
– Netzladegeräte
Das zuverlässigste Datenblatt für den MBR10H200CT ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den MBR10H200CT über unsere Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot und profitieren Sie von unserem zeitlich begrenzten Angebot.
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MBR10H200CTTaiwan Semiconductor Corporation |
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