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| Artikelnummer: | HER306G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 2500+ | $0.2225 |
| 6250+ | $0.2214 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
| Technologie | Standard |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-201AD |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75 ns |
| Verpackung / Gehäuse | DO-201AD, Axial |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Strom - Richt (Io) | 3A |
| Kapazität @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | HER306 |
| HER306G Einzelheiten PDF [English] | HER306G PDF - EN.pdf |




75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
HER306 IO
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 600V 3A DO27
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
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HER307 MIC
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
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HER306GTaiwan Semiconductor Corporation |
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