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| Artikelnummer: | HER306G R0G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 3750+ | $0.1511 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600V |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-201AD |
| Standardpaket | 1,250 |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 75ns |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DO-201AD, Axial |
| Andere Namen | HER306G R0G-ND HER306GR0G |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 12 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 600V |
| Strom - Richt (Io) | 3A |
| Kapazität @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
| HER306G R0G Einzelheiten PDF [English] | HER306G R0G PDF - EN.pdf |




DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A DO27
HER307 MIC
HER306 IO
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
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DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
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