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| Artikelnummer: | ES3DB M4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Taiwan Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 6000+ | $0.1547 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200V |
| Supplier Device-Gehäuse | DO-214AA (SMB) |
| Standardpaket | 3,000 |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35ns |
| Teilstatus | Active |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse | DO-214AA, SMB |
| Andere Namen | ES3DB M4G-ND ES3DBM4G |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit | 9 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp | Standard |
| detaillierte Beschreibung | Diode Standard 200V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 200V |
| Strom - Richt (Io) | 3A |
| Kapazität @ Vr, F | 46pF @ 4V, 1MHz |
| ES3DB M4G Einzelheiten PDF [English] | ES3DB M4G PDF - EN.pdf |




ES3D/57T VISHAY
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 3A SMB
ES3DBG Original
DIODE GP 200V 3A SMB/DO-214AA
35NS, 3A, 200V, SUPER FAST RECOV
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
SMB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
XX DO-214
ES3D-NL FAIRCHI
ES3D/9T VISHAY
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