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| Artikelnummer: | CSD87312Q3E |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.621 |
| 10+ | $0.6053 |
| 30+ | $0.5953 |
| 100+ | $0.5853 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-VSON (3.3x3.3) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 7A , 8V |
| Leistung - max | 2.5W |
| Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1250pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 27A |
| Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Grundproduktnummer | CSD87312Q3 |
| CSD87312Q3E Einzelheiten PDF [English] | CSD87312Q3E PDF - EN.pdf |




CSD87312Q3E
Y-IC ist ein zuverlässiger Händler für Produkte der Marke Texas Instruments und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der CSD87312Q3E ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im gemeinsamen Quellenbetrieb in einer kompakten 8-PowerTDFN-Gehäuse. Er verfügt über eine Logikpegel-Gate, niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit, was ihn ideal für eine Vielzahl von Power-Management- und Schaltanwendungen macht.
Dualer N-Kanal-MOSFET im gemeinsamen Quellenbetrieb\nLogikpegel-Gate\nGeringer RDS(on) von 33 mΩ bei 7A, 8V\nHoher Dauer-Sondenstrom von 27A bei 25°C\nDrain-Source-Spannung von 30V\nMaximale Verlustleistung von 2,5W\nBetriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Kompaktes und platzsparendes 8-PowerTDFN-Gehäuse\nEffizientes Power-Management durch niedrigen RDS(on)\nBewältigt hohe Strombelastungen\nGeeignet für vielfältige Temperaturbedingungen
Tape & Reel (TR) Verpackung\n8-PowerTDFN-Gehäuse\nGehäusegröße 3,3 mm x 3,3 mm\nOberflächenmontage
Das Produkt CSD87312Q3E ist aktiv auf dem Markt\nEs können gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich sein. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam für weitere Informationen.
Power-Management\nSchaltanwendungen\nMotorsteuerung\nIndustrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den CSD87312Q3E ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt mit ausführlichen technischen Spezifikationen herunterzuladen.
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