Deutsch
| Artikelnummer: | CSD75208W1015T |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.6842 |
| 10+ | $2.6176 |
| 30+ | $2.5727 |
| 100+ | $2.5278 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 1A, 4.5V |
| Leistung - max | 750mW |
| Verpackung / Gehäuse | 6-UFBGA, DSBGA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| FET-Merkmal | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1.6A |
| Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) Common Source |
| Grundproduktnummer | CSD75208 |
| CSD75208W1015T Einzelheiten PDF [English] | CSD75208W1015T PDF - EN.pdf |




CSD75208W1015T
Y-IC ist ein hochwertiger Händler von Produkten von Texas Instruments und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der CSD75208W1015T ist ein dualer P-Kanal NexFET™ MOSFET in einem 6-UFBGA, DSBGA Gehäuse. Er besticht durch geringe on-Widerstände und hohe Strombelastbarkeit und eignet sich somit ideal für vielfältige Energieverwaltungs- und Schaltanwendungen.
Dualer P-Kanal MOSFET
Niedriger on-Widerstand: 68mOhm bei 1A und 4,5V
Hohe Strombelastbarkeit: 1,6A Dauerabstandsstrom
Logikpegel-Gate: Vgs(th) (Max) bei Id von 1,1V und 250µA
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
Effiziente Energieverwaltung und Schaltfunktion
Kompaktes Oberflächenmontage-Gehäuse
Vielfältige Einsatzmöglichkeiten in verschiedenen Anwendungen
Gehäuse: 6-UFBGA, DSBGA
Gehäusegröße: 1 x 1,5 mm
Tape & Reel (TR) Verpackung
Das Produkt CSD75208W1015T ist ein aktives Bauteil.
Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Energieverwaltung
Schaltkreise
Allgemeine Leistungsanwendungen
Das aktuellste Datenblatt für den CSD75208W1015T finden Sie auf unserer Website. Wir empfehlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktinformationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Fordern Sie auf unserer Website ein Angebot für den CSD75208W1015T an. Nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot und erhalten Sie jetzt ein Angebot!
CSD75203W1015 TI
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA
TI WSON6
PROTOTYPE
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
TI DSBGA-12
TI BGA6
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
PROTOTYPE
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP
MOSFET 2N-CH 20V 5A
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
PROTOTYPE
CSD68872Q5D TI
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/10/23
2024/04/13
2024/09/18
2025/07/16
CSD75208W1015TTexas Instruments |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|