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| Artikelnummer: | CSD25301W1015 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 1A, 4.5V |
| Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta) |
| Verpackung / Gehäuse | 6-UFBGA, DSBGA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 10 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.2A (Tc) |
| Grundproduktnummer | CSD2530 |
| CSD25301W1015 Einzelheiten PDF [English] | CSD25301W1015 PDF - EN.pdf |




CSD25301W1015
Texas Instruments
Der CSD25301W1015 ist ein P-Kanal-MOSFET aus der NexFET™-Serie von Texas Instruments. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen konzipiert, die eine effiziente Stromverwaltung erfordern.
P-Kanal-MOSFET
MOSFET-Technologie (Metall-Oxid-Halbleiter)
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 20 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 2,2 A bei 25°C
Geringe On-Widerstand (Rds(on)) von 75 mOhm bei 1 A, 4,5 V
Niedrige Gate-Ladung (Qg) von 2,5 nC bei 4,5 V
Weites Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Verbesserte Effizienz bei Stromverwaltungsanwendungen
Kompaktes, platzsparendes Oberflächenmontagegehäuse
Zuverlässige Leistung über einen breiten Temperaturspektrum
6-UFBGA, DSBGA Gehäuse
Oberflächenmontagegehäuse
Kompakte Bauform für platzkritische Designs
Das Produkt CSD25301W1015 ist veraltet.
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