Deutsch
| Artikelnummer: | CSD18535KTT |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Texas Instruments |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.0532 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DDPAK/TO-263-3 |
| Serie | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6620 pF @ 30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200A (Ta) |
| Grundproduktnummer | CSD18535 |
| CSD18535KTT Einzelheiten PDF [English] | CSD18535KTT PDF - EN.pdf |




CSD18535KTT
Texas Instruments - Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Texas Instruments Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der CSD18535KTT ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der NexFET™-Serie von Texas Instruments. Er ist für eine Vielzahl von Aufgaben im Bereich Energieverwaltung und -umwandlung konzipiert.
– 60V Drain-Source-Spannung (Vdss)
– 200A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25°C
– Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 2mΩ bei 100A, 10V
– Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 81nC bei 10V
– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
– Hervorragende Leistungsfähigkeit und Effizienz
– Geringer On-Widerstand für reduzierte Leistungsverluste
– Breiter Temperaturbereich
– Kompakte Oberflächenmontagegehäuse
– Tape & Reel (TR) Verpackung
– TO-263 (DDPAK-3) Gehäuse
– Optionen mit 4-poligem TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Massekontakt) oder TO-263AA Gehäuse
Der CSD18535KTT ist ein aktiv geführtes Produkt ohne geplante Einstellung. Alternativ- oder Ersatzmodelle sind verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über unsere Webseite für weitere Informationen.
– Energieverwaltung und -umwandlung
– Automobiltechnik
– Industrieausrüstung
– Unterhaltungselektronik
Das umfassendste Datenblatt für den CSD18535KTT steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot für den CSD18535KTT auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, lernen Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
TI SON8
MOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTAR
MOSFET N-CH 60V 45A/100A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
TI VSON8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/06/10
2025/01/2
2024/01/20
2025/07/10
CSD18535KTTTexas Instruments |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|