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| Artikelnummer: | GAS06520L |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | SemiQ |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIC 650V 66.5A TO247AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $10.341 |
| 10+ | $9.5007 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650 V |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247AB |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Cut Tape (CT) |
| Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Strom - Richt (Io) | 66.5A |
| Kapazität @ Vr, F | 1390pF @ 0V, 1MHz |




GASK584N
SURGE GASTUBE1000W/350V
SMARTENANCE
DIODE SIC 650V 66.5A TO247AC
TE Connectivity GAS830AH17
IGBT Modules
GASK586N
GASK588N
SMARTENANCE
GASK582N
DIODE SIL CARB 650V 66A TO220AC
TE Connectivity GAS830AH1
GASK581N
DIODE SIL CARB 650V 30A TO220F
TE Connectivity GAS830AH11
GASK583N
GASK589N
SMARTENANCE
DIODE SIL CARB 650V 79.5A TO263
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GAS06520LGlobal Power Technology-GPT |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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