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| Artikelnummer: | STGW8M120DF3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.1987 |
| 10+ | $3.7695 |
| 100+ | $3.0887 |
| 500+ | $2.6294 |
| 1000+ | $2.2175 |
| 2000+ | $2.1067 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 8A |
| Testbedingung | 600V, 8A, 33Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 20ns/126ns |
| Schaltenergie | 390µJ (on), 370µJ (Off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
| Serie | M |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 103 ns |
| Leistung - max | 167 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 32 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 32 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 16 A |
| Grundproduktnummer | STGW8 |
| STGW8M120DF3 Einzelheiten PDF [English] | STGW8M120DF3 PDF - EN.pdf |




STGW8M120DF3
STMicroelectronics - Y-IC ist ein qualifizierter Händler für Produkte von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STGW8M120DF3 ist ein Hochspannungs- und Hochleistungs-Isolated-Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) in einem TO-247-3 Gehäuse. Er gehört zur M-Serie und ist für vielfältige industrielle und leistungselektronische Anwendungen konzipiert.
Trench-Feldstopp-IGBT-Technologie
1200V Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung
Maximaler Kollektorstrom von 16A
Pulsierter Kollektorstrom von 32A
Geringe Einschaltspannung (2,3V bei 15V, 8A)
Schneller Schaltbetrieb (Anstiegszeit 20ns, Abfallzeit 126ns)
Schaltenergie beim Einschalten 390μJ, beim Abschalten 370μJ
Standard-Gate-Eingang
Gate-Ladung von 32nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hohe Effizienz und geringe Energieverluste
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für eine Vielzahl industrieller Anwendungen
TO-247-3 Durchsteckgehäuse
Röhrchenverpackung
Abmessungen: 15,00 x 10,16 x 4,57 mm
3-polige Konfiguration
Ideal für Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Das STGW8M120DF3 ist ein aktives Produkt
Es gibt entsprechende Alternativen, z.B. STGW8N120DF3
Kunden werden empfohlen, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam zu wenden
Stromrichter
Motorantriebe
Schweissgeräte
Schaltnetzteile
Induktive Erwärmung
Allgemeine Leistungselektronik in der Industrie
Das aktuellste Datenblatt für den STGW8M120DF3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden sollten das Datenblatt herunterladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
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IGBT 1200V 30A 259W
IGBT 600V 52A 208W TO247
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
IGBT 650V 120A 469W TO-247
IGBT TRENCH 650V 40A TO247
IGBT 1200V 15A TO247-3L
IGBT 600V 120A 469W TO247
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7
IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
IGBT 650V 120A 469W TO-247
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
IGBT 600V 120A 469W TO247
IGBT BIPO 650V 80A TO247
IGBT HB 1200V 15A HS TO247-3
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STGW8M120DF3STMicroelectronics |
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Zielpreis (USD)
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