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| Artikelnummer: | STGW80H65DFB-4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT BIPO 650V 80A TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.9559 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 84ns/280ns |
| Schaltenergie | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-4 |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 85 ns |
| Leistung - max | 469 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-4 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 414 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 120 A |
| Grundproduktnummer | STGW80 |
| STGW80H65DFB-4 Einzelheiten PDF [English] | STGW80H65DFB-4 PDF - EN.pdf |




STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics
Der STGW80H65DFB-4 ist ein Hochleistungs-Isolierter Gate Bipolar Transistor (IGBT) von STMicroelectronics. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen industriellen Anwendungen entwickelt, darunter Motorantriebe, Netzteile und Stromumwandlungssysteme.
Trench-Feldstopp-IGBT-Technologie
Hohe Spannungsfestigkeit von 650 V
Hohe Strombelastbarkeit bis zu 120 A
Schneller Schaltvorgang mit niedrigen Schaltverlusten
TO-247-4L Gehäuse
Ausgezeichnete elektrische und thermische Leistungsfähigkeit
Zuverlässiges und robustes Design
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Einfache Integration in verschiedene Systeme
Rohrverpackung
TO-247-4L Gehäuse
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C
Geeignet für Durchgangsbohrmontage
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Motorantriebe
Netzteile
Stromumwandlungssysteme
Industrielle Elektronik
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Zielpreis (USD)
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