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| Artikelnummer: | STD70N6F3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 70A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.1513 |
| 200+ | $0.8594 |
| 500+ | $0.8307 |
| 1000+ | $0.8165 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | STripFET™ III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 35A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 70A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD70 |
| STD70N6F3 Einzelheiten PDF [English] | STD70N6F3 PDF - EN.pdf |




STD70N6F3
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STD70N6F3 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse (TO-252-3). Er gehört zur STripFET III Serie und bietet ausgezeichnete Leistungsmerkmale.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung: 60V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 70A
On-Widerstand: 10,5 mΩ
Gate-Schwellen-Spannung: 4V
Gate-Ladung: 35 nC
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C
Hohe Leistungsfähigkeit
Geringer On-Widerstand für verbesserte Effizienz
Schnelles Schalten für Hochfrequenzanwendungen
Robustes Design für zuverlässige Performance
Gehäuse: DPAK (TO-252-3), 2 Anschlüsse + Tab
Verpackung: Tape & Reel (TR)
Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsdissipation von 110W bei Tc
Elektrische Eigenschaften: Spannungs-, Stromund Kapazitanzwerte
Das STD70N6F3 ist ein aktives Produkt und befindet sich nicht in der Auslaufphase.
Es gibt gleichwertige und alternative MOSFET-Modelle, wie z.B. STD80N6F3 und STD90N6F3. Für eine detaillierte Übersicht wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Hochleistungs-Schaltanwendungen
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Industrielle und Automobilelektronik
Das aktuellste Datenblatt für den STD70N6F3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, es herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Leistungsdetails zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STD70N6F3 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unsere weiteren Angebote.
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STD70N6F3STMicroelectronics |
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Zielpreis (USD)
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