Deutsch
| Artikelnummer: | STW55NM60ND |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $9.4269 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
| Serie | FDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 350W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5800 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 51A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STW55N |
| STW55NM60ND Einzelheiten PDF [English] | STW55NM60ND PDF - EN.pdf |




STW55NM60ND
Y-IC ist ein Qualitätshändler für Produkte von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der STW55NM60ND ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der FDmesh™ II-Serie von STMicroelectronics. Er ist für eine Vielzahl von Leistungswandlungs- und Steuerungsanwendungen ausgelegt.
600 V Drain-Source-Spannung
51A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Niediger On-Widerstand von 60 mΩ bei 10 V Gate-Source-Spannung
Schnelles Schalten mit maximal 190 nC Gate-Ladung
Breiter Spannungsbereich von ±25 V für Gate-Source
Hohe Leistungsdissipation von 350 W bei Tc
Hervorragende Leistung für Hochleistungsund Hochspannungsanwendungen
Effiziente Leistungsumwandlung mit geringen Leitungsund Schaltverlusten
Robustes Design für zuverlässigen und langlebigen Betrieb
Der STW55NM60ND ist in einem TO-247-3 Through-Hole-Gehäuse erhältlich. Er verfügt über 3 Pins und ist für Hochleistungsanwendungen geeignet.
Der STW55NM60ND ist ein veraltetes Produkt. Kunden werden gebeten, unseren Vertrieb über die Website zu kontaktieren, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Induktionsheizung
Schweißgeräte
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das ausführlichste technische Datenblatt für den STW55NM60ND ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STW55NM60ND auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
ST TO-247
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
ST TO-247
STW55N10 ST
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
ST TO-247
MOSFET N-CH 650V 49A TO247
ST TO-247
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
STW55NE10 ST
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
STW55NM50 ST
MOSFET N-CH 500V 54A TO247-3
MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
LED 5630 LINEAR STRIP
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4L
ST TO-247
MOSFET N-CH 650V 49A TO247-3
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
STW55NM60NDSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|