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| Artikelnummer: | STW25N60M2-EP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO247 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.8027 |
| 10+ | $5.0687 |
| 30+ | $4.6211 |
| 90+ | $4.2462 |
| 510+ | $4.1977 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247-3 |
| Serie | MDmesh™ M2-EP |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 188mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STW25 |
| STW25N60M2-EP Einzelheiten PDF [English] | STW25N60M2-EP PDF - EN.pdf |




STW25N60M2-EP
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STW25N60M2-EP ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der MDmesh™ M2-EP-Serie von STMicroelectronics. Er ist für eine Vielzahl von Leistungselektronik- und Steuerungsanwendungen konzipiert.
Sourcespannung (Vdss) bis 600 V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) bei 25 °C bis 18 A
Geringer On-Widerstand (Rds(on)) von 188 mΩ
Hohe Zuverlässigkeit und Robustheit
Herausragende Leistung und Effizienz
Weniger Energieverluste und geringere Wärmeentwicklung
Erhöhte Systemzuverlässigkeit und Langlebigkeit
Der STW25N60M2-EP ist in einem robusten TO-247-3-Drehboden-Gehäuse verpackt. Das Gehäuse bietet ausgezeichnete thermische und elektrische Eigenschaften.
Der STW25N60M2-EP ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige und alternative Modelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Y-IC Webseite.
Netzteile
Motorantriebe
Inverter
Schaltflächen-Netzteile
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das maßgebliche Datenblatt für den STW25N60M2-EP ist auf der Y-IC Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen, um detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den STW25N60M2-EP auf der Y-IC Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um unsere zeitlich begrenzten Angebote zu nutzen.
STW24NM60 ST
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ.,
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
MOSFET N-CH 950V 22A TO247
STW25NM60 ST
ST TO-247
MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
ST TO-247
ST TO-247
ST TO-247
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
ST TO-3P
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
ST TO-3P
MOSFET N-CH 600V 17A TO247
MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
MOSFET N-CH 600V TO247
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
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Zielpreis (USD)
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