Deutsch
| Artikelnummer: | STU6N60M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.3766 |
| 10+ | $1.2276 |
| 100+ | $0.9573 |
| 500+ | $0.7908 |
| 1000+ | $0.6243 |
| 2000+ | $0.5827 |
| 5000+ | $0.5535 |
| 10000+ | $0.5327 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-251 (IPAK) |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.25A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 232 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STU6N60 |
| STU6N60M2 Einzelheiten PDF [English] | STU6N60M2 PDF - EN.pdf |




STU6N60M2
Y-IC ist ein hochwertiger Händler der Marke STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STU6N60M2 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der MDmesh™ II Plus Serie von STMicroelectronics. Er bietet hervorragende Leistung bei der Energieübertragung und ist geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen in der Stromwandlung und Steuerung.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung: 600 V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 4,5 A
Geringer On-Widerstand: 1,2 Ω
Schnelle Schaltfähigkeit
Optimiert für Hochfrequenzbetrieb
Zuverlässiges und robustes Design
Hervorragende Leistungsfähigkeit und thermische Stabilität
Effiziente Stromwandlung und Steuerung
Ideal für vielfältige Anwendungen in der Leistungselektronik
Gehäuse: TO-251 (IPAK)
Kurze Anschlussdrähte
Röhrenverpackung
Das Produkt STU6N60M2 ist aktiv erhältlich.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Netzteile
Motorensteuerungen
Wechselrichter
Konverter
Industrieelektronik
Das aktuellste Datenblatt für den STU6N60M2 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Wir empfehlen unseren Kunden, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren zeitlich begrenzten Sonderangeboten zu profitieren.
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
SAMHOP TO-252
SAMHOP TO-252
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
EIC SMB
MOSFET N CH 30V 65A IPAK
MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
EIC SMB
DISCRETE
ST TO-251
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
SAMHOP TO-252
MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
EIC SMB
SAMHOP TO-252
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
STU6N60M2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|