Deutsch
| Artikelnummer: | STP80N70F4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1989 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 68 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 85A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP80N |
| STP80N70F4 Einzelheiten PDF [English] | STP80N70F4 PDF - EN.pdf |




STP80N70F4
Y-IC ist ein Qualitätshändler für Produkte von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STP80N70F4 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 68 V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 85 A bei 25 °C. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand und hohe Schaltgeschwindigkeit aus, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Energieverwaltung geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung: 68 V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 85 A bei 25 °C
Niedriger On-Widerstand
Hohe Schaltgeschwindigkeit
DeepGATE™ und STripFET™ Technologie
Hervorragende Leistungsfähigkeit beim Stromhandling
Hohe Effizienz bei der Energieumwandlung
Zuverlässige und robuste Leistung
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen in der Energieverwaltung
Der STP80N70F4 ist in einer TO-220-3 Gehäuseart mit Durchsteckmontage verpackt. Er verfügt über eine Pin-Konfiguration und thermisch/eingangstechnisch geeignete Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen.
Das Produkt STP80N70F4 ist veraltet. Es sind jedoch entsprechende oder alternative Modelle von STMicroelectronics erhältlich. Kunden werden gebeten, unser Verkaufsteam über die Website für weitere Informationen zu aktuellen Produktangeboten zu kontaktieren.
Schaltnetzteile
Motorsteuerungen
Schweißgeräte
Industrielle Automatisierung
Erneuerbare Energieanlagen
Das autoritativste Datenblatt für den STP80N70F4 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
Kunden werden gebeten, Angebote für den STP80N70F4 auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich limitierten Angebot zu profitieren.
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
VBSEMI TO-220
MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
DISCRETE
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
MOSFET N-CH 60V 110A TO220
MOSFET N-CH 68V 96A TO220
ST TO-220
STP80NF03 ST
N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
STP80N06-10 ST/
STP80N10 ST
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
ST TO-220
STP80NE03L ST
ST TO-220
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
STP80NE06FI ST
N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP.,
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/10/16
2025/01/23
2025/06/10
2025/06/24
STP80N70F4STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|