Deutsch
| Artikelnummer: | STP80N6F6 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 110A TO220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9278 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 50A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 120W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7480 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP80N |
| STP80N6F6 Einzelheiten PDF [English] | STP80N6F6 PDF - EN.pdf |




STP80N6F6
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von STMicroelectronics, einem führenden Hersteller von Halbleiterprodukten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STP80N6F6 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der DeepGATE™- und STripFET™ VI-Serie von STMicroelectronics. Er bietet hervorragende Leistungsfähigkeit und ist für eine Vielzahl von Automobil- und Industrieanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 60V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 110A
Niediger On-Widerstand von 5,8 mΩ
Schnelle Schaltzeiten
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
AEC-Q101 qualifiziert
Robustes Design für zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen
Effiziente Leistungsübertragung und geringe Leitungsverluste
Geeignet für verschiedene Automobilund Industrieanwendungen
Gehäuse in einer TO-220-3 through-hole Verpackung
Gute thermische Eigenschaften und elektrische Performance
Der STP80N6F6 ist ein veraltetes Produkt. Es sind jedoch gleichwertige oder alternative Modelle von STMicroelectronics erhältlich. Kunden werden empfohlen, sich über unsere Vertriebsseite über geeignete Ersatzmodelle zu informieren.
Automotive Elektronik
Industrielle Motorsteuerungen
Netzteile
Schaltregler
Inverter und Konverter
Das offizielle Datenblatt für den STP80N6F6 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden sollten das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale herunterladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den STP80N6F6 oder alternative Produkte auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unsere zeitlich begrenzten Sonderangebote.
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
DISCRETE
STP80N03L-06 ST
VBSEMI TO-220
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
STP80N06-10 ST/
MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
MOSFET N-CH 68V 96A TO220
STP80NE06FI ST
STP80NF03 ST
ST TO-220
MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
ST TO-220
STP80N10 ST
N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP.,
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
STP80N06 ST
STP80NE03L ST
MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
STP80N6F6STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|