Deutsch
| Artikelnummer: | STP5N80K5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 4A TO220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.7638 |
| 10+ | $1.5874 |
| 100+ | $1.2763 |
| 500+ | $1.0485 |
| 1000+ | $0.8688 |
| 2000+ | $0.8089 |
| 5000+ | $0.7789 |
| 10000+ | $0.759 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 2A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 177 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP5N80 |
| STP5N80K5 Einzelheiten PDF [English] | STP5N80K5 PDF - EN.pdf |




STP5N80K5
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von STMicroelectronics, einem weltweit führenden Halbleiterhersteller. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der STP5N80K5 ist ein hochspannungs-, hochleistungsfähiger N-Kanal-LeistungsmOSFET in einem TO-220-Gehäuse. Er ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
800 V Drain-Source-Spannung
4 A Dauer-Drainstrom
Maximaler On-Widerstand von 1,75Ω
Maximaler Gate-Ladung von 5 nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hohe Spannungsund Leistungskapazitäten
Geringer On-Widerstand für effizienten Leistungsumschaltung
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen
Der STP5N80K5 ist in einem standardmäßigen TO-220-Durchsteckpaket verpackt. Er verfügt über drei Leitungen und wird in einer Tube geliefert.
Der STP5N80K5 ist ein aktiv produziertes Bauteil und befindet sich nicht im Annäherungsprozess einer Einstellung. Es sind passende Alternativmodelle verfügbar, wie zum Beispiel der STP6N80K5 und STP7N80K6. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Hochleistungs-Schaltanwendungen
Stromversorgungen
Motorantriebe
Industrieausrüstung
Haushaltsgeräte
Das offizielle Datenblatt für den STP5N80K5 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es herunterzuladen, um die aktuellsten und genauesten Informationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, online Angebote für den STP5N80K5 einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 650V 42A TO220
STP55NF06LFP STCHN
ST TO-220F
MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220
STP5NA80 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
ST TO-220F
MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
STP5N90 ST
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220
STP5N60FI ST
STP5N50 ST
MOSFET N-CH 950V 4A TO220
STP5NA90FI ST
STP5NA60 STMicroelectronics
STP5NA50 ST
MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/12/4
2025/01/15
2025/07/22
2024/10/23
STP5N80K5STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|