Deutsch
| Artikelnummer: | STP200N6F3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 60A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 330W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP200 |
| STP200N6F3 Einzelheiten PDF [English] | STP200N6F3 PDF - EN.pdf |




STP200N6F3
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STP200N6F3 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Rds(on) und eine hohe Strombelastbarkeit aus, was ihn für eine Vielzahl von Schaltnetzteilen und Steuerungsanwendungen geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) von 60V
Kontinuierlicher Drain-Strom (Id) von 120A bei 25°C
Niedriger Rds(on) von 3,9mΩ bei 60A, 10V
Schnelle Schaltgeschwindigkeit und geringer Gate-Ladestrom (Qg)
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Leistungsfähigkeit und Effizienz
Zuverlässige und robuste Performance
Eignet sich für Hochstromund Hochleistungsanwendungen
Der STP200N6F3 ist in einem standardmäßigen TO-220-3-Druckgehäuse erhältlich, das gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit bietet.
Der STP200N6F3 ist ein veraltetes Produkt und wird daher nicht mehr aktiv produziert. Es gibt jedoch möglicherweise gleichwertige oder alternative MOSFET-Modelle von STMicroelectronics oder anderen Herstellern. Für weitere Informationen oder Unterstützung bei der Suche nach einem geeigneten Ersatz kontaktieren Sie bitte unser Verkaufsteam.
Netzteile
Motorsteuerungen
Wechselrichter
Industrielle Steuerungen
Automobiltechnik
Das aktuellste und umfassendste Datenblatt für den STP200N6F3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt herunterzuladen, um die detaillierten Spezifikationen und Leistungsmerkmale dieses Produkts zu prüfen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den STP200N6F3 oder alternative Produkte auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über unsere breite Palette an MOSFET-Lösungen.
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
ST TO-220
MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220
ST TO-220
STP2002QFP SUN
LSI QFP
STP20020FP SUN
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
STP1NK80ZFP ST
MOSFET N-CH 30V 120A TO220
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
STP2003QFP ST
STP20100CT ST
ST TO220
ST TO-220
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2023/12/20
2025/06/30
2025/03/28
2025/06/30
STP200N6F3STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|