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| Artikelnummer: | STP11NM65N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.2749 |
| 200+ | $1.3071 |
| 500+ | $1.2627 |
| 1000+ | $1.2419 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 455mOhm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP11N |
| STP11NM65N Einzelheiten PDF [English] | STP11NM65N PDF - EN.pdf |




STP11NM65N
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STP11NM65N ist ein Hochspannungs-, Hochstrom-N-Kanal-MOSFET aus der MDmesh™ II Serie von STMicroelectronics. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Stromwandler- und Steuerungsanwendungen konzipiert.
Hohe Drain-Source-Spannung von 650V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 11A bei 25°C
Geringer On-Widerstand von 455mΩ bei 5,5A, 10V
Schnelle Schaltzeiten und geringe Gate-Ladung von 29nC bei 10V
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
Hervorragende Strombelastbarkeit
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Zuverlässige und robuste Leistung
Für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet
Der STP11NM65N ist in einer TO-220 Drehthrough-Gehäuse verpackt. Er besitzt eine Standard-Pin-Konfiguration und lässt sich leicht in verschiedene Schaltungen integrieren.
Das Produkt STP11NM65N ist veraltet. Es sind jedoch gleichwertige und alternative Modelle von STMicroelectronics erhältlich. Kunden werden empfohlen, unser Vertriebsteam über die Website für weitere Informationen zu kontaktieren.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schaltnetzteile
Industrielle und Unterhaltungselektronik
Das maßgebliche Datenblatt für den STP11NM65N steht auf unserer Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot für diesen hochleistungsfähigen MOSFET zu profitieren.
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