Deutsch

| Artikelnummer: | STH150N10F7-2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.3862 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | H2Pak-2 |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 55A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8115 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 110A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STH150 |
| STH150N10F7-2 Einzelheiten PDF [English] | STH150N10F7-2 PDF - EN.pdf |




STH150N10F7-2
STMicroelectronics - Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor der Marke STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Das STH150N10F7-2 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der DeepGATE™- und STripFET™ VII-Serie von STMicroelectronics. Es ist für eine Vielzahl von Leistungselektronik- und Steuerungsanwendungen konzipiert.
N-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung (V_DSS): 100V
Kontinuierlicher Drain-Strom: 110A
Geringer R_DS(on): 3,9mΩ
Hohe Leistungsaufnahme (250W)
Weites Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 175°C
Herausragende Effizienz und thermische Performance
Für Hochleistungsanwendungen geeignet
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Tapes & Reel (TR) Verpackung
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Wärmetablette), TO-263AB Gehäuse
Oberflächenmontage-Konfiguration
Dieses Produkt ist derzeit aktiv und wird produziert. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
Stromversorgungen
Motorsteuerungen
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das aktuellste Datenblatt für das STH150N10F7-2 ist auf unserer Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an oder informieren Sie sich über dieses Produkt!
ST TO-263
MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
STH QFP48
STH13NB60FI ST
STH14808-2 ST
STH15NB50F ST
SY TO263
ST TO263
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
ST TO-263
STH15NA50FI ST
ST TO-263
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
STH13NB60F1 ST
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
UTAC LQFP48
STH15810-2 STM
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
STH150N10F7-2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|