Deutsch

| Artikelnummer: | STH140N6F7-2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.1819 |
| 200+ | $1.2705 |
| 500+ | $1.2276 |
| 1000+ | $1.2061 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | H2Pak-2 |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 158W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STH140 |
| STH140N6F7-2 Einzelheiten PDF [English] | STH140N6F7-2 PDF - EN.pdf |




STH140N6F7-2
STMicroelectronics (Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services)
Der STH140N6F7-2 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus den DeepGATE™- und STripFET™ VII-Serien von STMicroelectronics. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Leistungsmanagement- und Schaltanwendungen konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 60V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 80A
Maximale On-Widerstand von 3mΩ
Maximale Gate-Ladung von 40nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Oberflächenmontage-Gehäuse
Hervorragende Leistungsfähigkeit bei Stromhandling
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlussdrähte + Kühlfahne), TO-263AB Oberflächenmontagegehäuse
Abmessungen: 10,16 x 8,89 x 2,54 mm
Thermischer Widerstand (Junction-to-Case): 0,85°C/W
Das Produkt STH140N6F7-2 ist veraltet
Ggf. sind Ersatzoder Alternativmodelle verfügbar, bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Netzteile
Motorsteuerungen
Inverter
Schaltregler
Das aktuellste Datenblatt für den STH140N6F7-2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STH140N6F7-2 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2
STH12NA60FI ST
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
STH13NB60FI ST
STH12N60FI ST
STH QFP48
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
STH14808-2 ST
STH15810-2 STM
UTAC LQFP48
TRANS NPN 400V 12A TO220
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
STH13NB60F1 ST
ST TO-263
ST TO-263
STH12NA60 ST
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/06/10
2025/01/2
2024/01/20
2025/07/10
STH140N6F7-2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|