STMicroelectronics STGWA40N120KD

Herstellerteilenummer

STGWA40N120KD

Hersteller

Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.

Detaillierte Beschreibung

Der STGWA40N120KD ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) aus der PowerMESH™-Serie.

Schlüsselmerkmale

– Spannungsfestigkeit – Kollektor-Emitter (Max.): 1200 V

– Maximaler Kollektorstrom (Ic): 80 A

– Puls-Strom (Icm): 120 A

– Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic: 3,85 V bei 15 V, 30 A

– Maximale Leistung: 240 W

– Schaltenergie: 3,7 mJ (ein), 5,7 mJ (aus)

– Eingangstyp: Standard

– Gate-Kapazität: 126 nC

– Ein / Aus-Schaltzeiten bei 25°C: 48 ns / 338 ns

– Reverse Recovery Time (trr): 84 ns

– Betriebstemperatur: -55°C bis 125°C (TJ)

Wichtigste Vorteile

– Hohe Spannungs- und Stromhandhabung

– Geringe Einschalt- und Schaltverluste

– Zuverlässige und robuste Leistung

Verpackung

– Gehäuse: TO-247-3

– Gerätegehäuse: TO-247

– Montageart: Durchsteckmontage

Lebenszyklus

Das Produkt STGWA40N120KD ist veraltet. Kunden werden empfohlen, sich über unsere Webseite an unser Verkaufsteam zu wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Leistungselektronik

– Motorsteuerungen

– Schweißgeräte

– USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)

– Solarwechselrichter

Datenblatt

Das umfassendste Datenblatt für den STGWA40N120KD ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es herunterzuladen.

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