STMicroelectronics STGWA40H65DFB

Herstellerteilenummer

STGWA40H65DFB

Hersteller

STMicroelectronics. Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke STMicroelectronics und stellt Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen zur Verfügung.

Detaillierte Beschreibung

Der STGWA40H65DFB ist ein Hochspannungs-Hochstrom-Isolierter Gate-Bipolar-Transistor (IGBT) von STMicroelectronics. Er ist für den Einsatz in verschiedensten Anwendungen der Leistungselektronik konzipiert.

Schlüsselmerkmale

– Trench Field Stop IGBT-Technologie

– Spannungs- -Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max): 650 V

– Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80 A

– Puls-Strom - Kollektor (Icm): 160 A

– Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2 V @ 15 V, 40 A

– Max. Leistung: 283 W

– Schaltenergie: 498 µJ (on), 363 µJ (off)

– Gate-Ladung: 210 nC

– Td (on/off) @ 25°C: 40 ns / 142 ns

– Reverse Recovery Time (trr): 62 ns

– Betriebstemperatur: -55°C bis 175°C (TJ)

Wichtigste Vorteile

– Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit

– Geringe Leitungs- und Umschaltverluste

– Schnelle Schaltgeschwindigkeit

– Breiter Betriebstemperaturbereich

Verpackung

Verpackungsart: Tube

Gehäuse / Case: TO-247-3

Lieferanten-Device-Gehäuse: TO-247 Long Leads

Lebenszyklus

Das STGWA40H65DFB ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar, wie z. B. STGW40H65DFB und STGW40NC60DFB. Kunden werden empfohlen, sich für weitere Informationen an unser Vertriebsteam über unsere Webseite zu wenden.

Schlüsselanwendungsbereiche

– Leistungselektronik

– Motorantriebe

– Wechselrichter

– Schweißgeräte

– Induktionsheizung

– USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)

Datenblatt

Das maßgebliche Datenblatt für den STGWA40H65DFB ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es direkt von der aktuellen Produktseite herunterzuladen.

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