Deutsch
| Artikelnummer: | STD9N65M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 5A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.5328 |
| 10+ | $1.3804 |
| 100+ | $1.1096 |
| 500+ | $0.9116 |
| 1000+ | $0.7554 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | MDmesh™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD9 |
| STD9N65M2 Einzelheiten PDF [English] | STD9N65M2 PDF - EN.pdf |




STD9N65M2
STMicroelectronics (Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner von Produkten von STMicroelectronics)
Der STD9N65M2 ist ein Hochspannungs-N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Stromverwaltungs- und Schaltsystemen entwickelt und bietet hohe Leistung bei kompakter Bauweise.
650V Drain-Source-Spannung
Kontinuierlicher Drain-Strom von 5A
Maximaler On-Widerstand von 900mΩ
Maximaler Gate-Ladung von 10nC
Maximale Eingangskapazität von 315pF
Betriebstemperatur bis zu 150°C
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Kompaktes DPAK-Surface-Mount-Gehäuse
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungsanwendungen
DPAK (TO-252-3) Oberflächenmontagegehäuse
Digi-Reel Verpackung
Der STD9N65M2 ist ein aktives Produkt und es sind keine direkten Ersatzmodelle verfügbar. Kunden werden jedoch gebeten, sich für die neuesten Produktinformationen und Verfügbarkeiten an unser Verkaufsteam über die Webseite zu wenden.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Industrieund Unterhaltungselektronik
Wechselrichter und Konstantspannungswandler
Das aktuellste Datenblatt für den STD9N65M2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Details zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den STD9N65M2 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und unserem Fachsupport zu profitieren.
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
STDC1100 CONEXANT
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
VB TO-252
MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
ST TO-252
STD9N10L ST
STD9NM60N-1 ST
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
ST TO-252
DISCRETE
STD9N10 ST
ST TO-252
DISCRETE
STD9N10T4 ST
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/01/23
2025/06/18
2024/04/18
2025/02/10
STD9N65M2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|