Deutsch
| Artikelnummer: | STD80N6F6 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 80A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.5233 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 120W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7480 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD80 |
| STD80N6F6 Einzelheiten PDF [English] | STD80N6F6 PDF - EN.pdf |




STD80N6F6
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STD80N6F6 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungstransistor von STMicroelectronics. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand und hohe Strombelastbarkeit aus, wodurch er sich für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Stromversorgung und Schalttechnik eignet.
N-Kanal Leistungs-MOSFET
60V Drain-Source-Spannung
80A Dauer-Drain-Strom
Niedriger On-Widerstand von 6,5 mΩ
Schnelle Schaltfähigkeit
DeepGATE™ und STripFET™ VI Technologien
Herausragende Energieeffizienz durch niedrigen On-Widerstand
Hohe Strombelastbarkeit
Zuverlässige und robuste Leistung
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
DPAK (TO-252-3) Oberflächenmontagegehäuse
2 Anschlüsse + Kühlfahne
Optimiert für thermische und elektrische Leistungsfähigkeit
Das Produkt STD80N6F6 ist veraltet.
Kunden können unser Vertriebsteam kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.
Netzteile
Motorsteuerungen
Beleuchtungssysteme
Industrielle Steuerungen
Fahrzeugelectronic
Das offizielle Datenblatt für den STD80N6F6 ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP
STD80N02-011G ON
N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
N-CHANNEL 800 V, 380 MOHM TYP.,
TRANS PNP 30V 3A DPAK
ST TO-252
TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP
STD83003-1 ST
N-CHANNEL 800 V, 285 MOHM TYP.,
ST TO-252
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
STD83003 ST
ST TO-252
ON TO251
MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
STD80N02 ON
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
STD80N6F6STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|