Deutsch
| Artikelnummer: | STD6NM60N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920mOhm @ 2.3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 45W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 420 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.6A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD6N |
| STD6NM60N Einzelheiten PDF [English] | STD6NM60N PDF - EN.pdf |




STD6NM60N
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STD6NM60N ist ein Hochspannungs-N-Kanal-LeistungsmOSFET aus der MDmesh™ II-Serie von STMicroelectronics. Er eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Stromwandlung und Motorsteuerung.
600 V Drain-Source-Spannung
4,6 A Kontinuierlicher Drain-Strom bei 25 °C
Niedriger On-Widerstand von 920 mΩ
Schnelles Schalten und geringe Gate-Ladung
Hohe Effizienz und geringer Energieverlust
Robustes Design für zuverlässigen Betrieb
Geeignet für Hochspannungsanwendungen
Tape & Reel (TR) Verpackung
DPAK (TO-252-3) Oberflächenmontagegehäuse
2 Anschlüsse + Tab-Konfiguration
Entwickelt für Hochleistungsund Hochtemperaturanwendungen
Der STD6NM60N ist ein auslaufendes Produkt
Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar, z.B. STD6N60KT4 und STD7N60M2
Kunden wird empfohlen, unser Verkaufsteam über die Webseite zu kontaktieren, um weitere Informationen zu erhalten
Netzteile
Motorantriebe
Schaltregler
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den STD6NM60N ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie noch heute ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
STD6NF10-1 VBsemi
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
ST TO-252
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
IGBT Modules
STD6NM60Z IPS
IGBT Modules
MOSFET N-CH 950V 9A DPAK
MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
ST TO-252
STD6NM60-1 ST
STD6NF10 ST
ST TO-252
MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
IGBT Modules
IGBT Modules
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/08/11
2024/06/14
2025/01/26
2025/03/28
STD6NM60NSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|