Deutsch
| Artikelnummer: | STD5N60DM2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.3433 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | MDmesh™ DM2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55Ohm @ 1.75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 45W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 375 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD5 |
| STD5N60DM2 Einzelheiten PDF [English] | STD5N60DM2 PDF - EN.pdf |




STD5N60DM2
Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor von Produkten von STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STD5N60DM2 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse. Er gehört zur MDmesh-Serie und ist für Hochspannungs- und Hochleistungs-Schaltanwendungen konzipiert.
N-Kanal-Leistungs-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 600 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 3,5 A
On-Widerstand von 1,55 Ω
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
DPAK Oberflächenmontagegehäuse
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Geringer On-Widerstand für hohe Effizienz
Geeignet für eine Vielzahl von Hochleistungs-Schaltanwendungen
Zuverlässiges und robustes Design
DPAK-Gehäuse
Band & Reel Verpackung (TR)
Oberflächenmontagebauteil
Der STD5N60DM2 ist ein aktives Produkt. Es sind keine bekannten gleichwertigen oder alternativen Modelle verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Netzteile für Schaltnetzteile
Motorsteuerungen
Industrieund Unterhaltungselektronik
Telekommunikationsgeräte
Das wichtigste Datenblatt für den STD5N60DM2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
ST TO-252
ST TO-252
MOSFET N-CH 950V 3.5A DPAK
ST TO252
MOSFET N-CH 650V DPAK
STD5NE10 ST
ST TO-252
ST TO252
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
ST TO-252
ST TO-252
MOSFET N-CH 950V 4A DPAK
ST TO-252
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
VBsemi DPAK
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
STD5N60DM2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|