Deutsch
| Artikelnummer: | STD11NM60ND |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 10A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.4417 |
| 10+ | $3.0938 |
| 100+ | $2.5352 |
| 500+ | $2.1582 |
| 1000+ | $1.8201 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | FDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 90W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 850 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD11 |
| STD11NM60ND Einzelheiten PDF [English] | STD11NM60ND PDF - EN.pdf |




STD11NM60ND
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STD11NM60ND ist ein N-Kanal-MOSFET aus der FDmesh™ II-Serie von STMicroelectronics. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 600 V und einen Dauer-Drain-Strom von 10 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET
600 V Drain-Source-Spannung
10 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C
FDmesh™ II-Serie
Robuste Leistungsfähigkeit mit hoher Spannungsund Strombelastbarkeit
Effizientes Schalten mit geringem On-Widerstand
Zuverlässiger Betrieb bei hoher Temperaturbeständigkeit
Tape & Reel (TR)
DPAK-Gehäuse (TO-252-3, 2 Leads + Tab, SC-63) für Oberflächenmontage
Geeignet für automatisierte Bestückung
Das STD11NM60ND ist ein aktiv passives Produkt.
Verfügbare gleichwertige oder alternative Modelle:
- STD13NM60ND
- STD15NM60ND
Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrieelektronik
Das offizielle Datenblatt für den STD11NM60ND ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebotsanfragen für den STD11NM60ND auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt.
ST TO-252
DIODE SCHOTTKY 100V 12A DPAK
ST TO-252
ST TO-252
ST TO-252
ST TO-252
VBSEMI TO-252
STD11N65M5 11NM65 ST
STD11NM65M5 11N65 TO-252
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
ST TO-252
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
ST TO-252
ST TO-252
ST TO-252
MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
ST TO-252
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/06/19
2025/06/30
2024/10/23
2025/02/11
STD11NM60NDSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|