Deutsch
| Artikelnummer: | STD11N65M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.7518 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 3.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 85W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD11 |
| STD11N65M2 Einzelheiten PDF [English] | STD11N65M2 PDF - EN.pdf |




STD11N65M2
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen an.
Der STD11N65M2 ist ein N-Kanal-MOSFET der MDmesh™ II Plus Serie. Entwickelt für Hochspannungs- und Hochleistungs-Schaltanwendungen.
650V Drain-Source-Spannung (Vdss)
7A Dauer-Drain-Strom (Id) bei 25 °C
Maximaler On-Widerstand (Rds(on)) von 670 mΩ bei 3,5 A, 10 V
Maximaler Gate-Ladung (Qg) von 12,5 nC bei 10 V
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 150 °C
Hohe Spannungsund Leistungsfähigkeit
Niedriger On-Widerstand für bessere Effizienz
Kompakte DPAK-Surface-Mount-Gehäuse
Tape & Reel (TR) Verpackung
DPAK (TO-252-3) Gehäuse mit 2 Anschlüssen und einer Anschlusslasche
Für Oberflächenmontageanwendungen konzipiert
Das STD11N65M2 ist ein aktives Produkt
Es gibt gleichwertige und alternative Modelle, wie das STD12N65M2 und STD13N65M2
Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen
Hochspannungsund Hochleistungs-Schaltanwendungen
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Automobilelektronik
Das autoritativste Datenblatt für den STD11N65M2 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte Produktinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
MOSFET N CH 650V 9A DPAK
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
IGBT Modules
DISCRETE
MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
ST TO-252
IGBT Modules
ST TO-252
ST TO-252
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
ST TO-252
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
IGBT Modules
IGBT Modules
STD11N65M5 11NM65 ST
IGBT Modules
ST TO-252
ST TO-252
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
IGBT Modules
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
STD11N65M2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|