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| Artikelnummer: | STD110N02RT4G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 24V 32A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 1.5W (Ta), 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3440 pF @ 20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 24 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 32A (Ta) |
| Grundproduktnummer | STD11 |
| STD110N02RT4G Einzelheiten PDF [English] | STD110N02RT4G PDF - EN.pdf |




STD110N02RT4G
Y-IC ist ein Qualitäts-Händler für ON-Produkte. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STD110N02RT4G ist ein hochleistungsfähiger Silizium-N-Kanal-MOSFET, optimiert für den Einsatz in der Energieverwaltung und Steuerung.
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Der STD110N02RT4G ist ein aktives Produkt und steht nicht vor der Einstellung. Es sind gleichwertige und alternative Modelle erhältlich, einschließlich STD110N04F4, STD110N03LH4 und STD110N05F4.
Netzteile\nMotorsteuerungen\nWechselrichter\nSchaltregler\nIndustrieund Unterhaltungselektronik
Das ausführlichste Datenblatt für den STD110N02RT4G finden Sie auf der Y-IC-Website. Es wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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