Deutsch
| Artikelnummer: | STD10N60M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4922 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 85W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD10 |
| STD10N60M2 Einzelheiten PDF [English] | STD10N60M2 PDF - EN.pdf |




STD10N60M2
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STD10N60M2 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit 600 V von STMicroelectronics. Er verfügt über die MDmesh™ II Plus-Technologie, die niedrigen On-Widerstand und schnelle Schaltzeiten ermöglicht.
N-Kanal-MOSFET
600 V Drain-Source-Spannung
7,5 A Dauer-Drain-Strom
Niedriger On-Widerstand
Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit
MDmesh™ II Plus-Technologie
Verbesserte Energieeffizienz
Geringerer Stromverbrauch
Zuverlässige und robuste Leistung
Für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet
Tape and Reel (TR) Verpackung
DPAK (TO-252-3) Gehäuse
2 Anschlüsse + Abdichtung
Oberflächenmontage
Das STD10N60M2 ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie zum Beispiel das STD12N60M2 und STD15N60M2. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
Netzteile
Motorantriebe
Schaltregler
Wechselrichter
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den STD10N60M2 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den STD10N60M2 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
DIODE SCHOTTKY 60V DPAK
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
ST TO-252
NFET DPAK SPCL 500V TR
DIODE SCHOTTKY 60V DPAK
STD10N62M2 ST
STD10NF06L ST
STD10N10L ST
STD10NF06T4 ST
MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
STD10NF06 VB
ST TO-252
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
ST TO-252
STD10NF06LT4 ST
NFET DPAK SPECIAL
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/08/11
2024/06/14
2025/01/26
2025/03/28
STD10N60M2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|