Deutsch
| Artikelnummer: | STB20N65M5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.0914 |
| 10+ | $1.778 |
| 30+ | $1.5823 |
| 100+ | $1.381 |
| 500+ | $1.2903 |
| 1000+ | $1.252 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | MDmesh™ V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 130W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1434 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB20 |
| STB20N65M5 Einzelheiten PDF [English] | STB20N65M5 PDF - EN.pdf |




STB20N65M5
Y-IC ist ein renommierter Distributor qualitativer Produkte der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB20N65M5 ist ein 650 V N-Kanal-MOSFET im Gehäuse TO-263 (D2PAK). Er gehört zur MDmesh™ V-Serie und zeichnet sich durch geringe On-Widerstände sowie hohe Schaltgeschwindigkeiten aus.
– 650 V Durchbruchspannung
– 18 A Dauer-Sinktstrom bei 25°C
– Maximaler On-Widerstand von 190 mΩ
– Maximaler Gate-Charge von 36 nC
– Oberflächenmontiertes Gehäuse (Surface Mount) mit TO-263-Format
– Hohe Effizienz und geringe Energieverluste
– Schnelle Schaltzeiten für Hochfrequenzanwendungen
– Zuverlässiges und robustes Design
– Band & Reel (TR) Verpackung
– Oberflächenmontiertes Gehäuse TO-263 (D2PAK)
– 2 Anschlüsse plus Klemmleiste
– Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Das STB20N65M5 ist ein aktiv beworbenes Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Website.
– Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen (PFC)
– Schaltnetzteile (SMPS)
– DC-DC-Wandler
– Motortreiber
Das offizielle und umfassendste Datenblatt für den STB20N65M5 ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen unseren Kunden, es herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote direkt auf unserer Website anzufordern. Jetzt Angebot anfordern | Mehr erfahren | Begrenztes Angebot
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
ST TO-263
MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
STB20NM50FD ST
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
DIODE SCHOTTKY 100V D2PAK
STB20NM50 ST
MOSFET N-CH 900V 20A D2PAK
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
STB20GC14.18750MHZ SUNNY
STB20NF06LT4 ST
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
STB20NK50Z-S @@@@@ ST
SUNNY NA
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V D2PAK
DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK
DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK
STB20NK50Z ST
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2025/06/10
2025/01/2
2024/01/20
2025/07/10
STB20N65M5STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|