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| Artikelnummer: | STB11N65M5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N CH 650V 9A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.8041 |
| 10+ | $2.4235 |
| 30+ | $2.1982 |
| 100+ | $1.8862 |
| 500+ | $1.7799 |
| 1000+ | $1.7323 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | MDmesh™ V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 4.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 85W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 644 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB11 |
| STB11N65M5 Einzelheiten PDF [English] | STB11N65M5 PDF - EN.pdf |




STB11N65M5
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Der STB11N65M5 ist ein N-Kanal-MOSFET in einem TO-263 (D2PAK) Gehäuse. Er gehört zur MDmesh™ V-Serie und verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 650V sowie einen Dauer-Drain-Strom von 9A bei 25°C.
N-Kanal-MOSFET
650V Drain-Source-Spannung
9A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
MDmesh™ V Serie
TO-263 (D2PAK) Gehäuse
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Effiziente Energieperformance
Kompaktes und platzsparendes Gehäuse
Rippentape & Reel (TR) Verpackung
TO-263 (D2PAK) Gehäuse mit 2 Anschlussleitungen und Kupferlasche
Oberflächenmontagetechnologie (SMT)
Das Produkt STB11N65M5 ist ein aktives Bauteil
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Zielpreis (USD)
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