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| Artikelnummer: | NAND01GR3B2CZA6E |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Micron Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.6326 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 25ns |
| Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Supplier Device-Gehäuse | 63-VFBGA (9.5x12) |
| Serie | - |
| Verpackung / Gehäuse | 63-TFBGA |
| Paket | Tray |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speichergröße | 1Gbit |
| Speicherorganisation | 128M x 8 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Speicherformat | FLASH |
| Grundproduktnummer | NAND01 |
| Zugriffszeit | 25 ns |
| NAND01GR3B2CZA6E Einzelheiten PDF [English] | NAND01GR3B2CZA6E PDF - EN.pdf |




NAND01GR3B2CZA6E
Micron Technology Inc. (Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Micron-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen)
1 Gbit NAND-Flash-Speicher mit Parallelschnittstelle
– 1 Gbit NAND-Flash-Speicher
– 128M x 8 Speicherorganisation
– Parallelschnittstelle
– Schreibzykluszeit und Zugriffzeit von 25 ns
– Hochdichter NAND-Flash für Datenlagerungsanwendungen
– Schnelle Schreib- und Zugriffsgeschwindigkeiten
– Weites Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 85°C
– 63-TFBGA-Gehäuse
– Gehäusegröße 9,5 mm x 12 mm
– Oberflächenmontage (SMD)
– Dieses Produkt ist veraltet
– Entsprechende/alternative Modelle: Kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über die Website für weitere Informationen
– Eingebettete Systeme
– Datenspeichergeräte
– Das autorisierteste Datenblatt für dieses Produkt ist auf unserer Website verfügbar
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